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公开(公告)号：CN119652541A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411287992.0
申请日：2024-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 根据一种方案，一种计算机实现的方法包括响应于检测到当前网络安全事件而针对当前网络安全事件生成历史风险分数。除了针对当前网络安全事件生成的异常风险分数之外，还针对当前网络安全事件生成西格玛规则检测分数。针对当前网络安全事件进一步生成IoC分数。机器学习模型用于评估历史风险分数、西格玛规则检测分数、异常风险分数和IoC分数。机器学习模型还用于创建对应于当前网络安全事件的综合风险分数，该综合风险分数包含历史风险分数、西格玛规则检测分数、异常风险分数和IoC分数。
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公开(公告)号：CN1305111C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03152547.4
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/26
CPC classification number: H05K3/0079 , H01L21/0331 , H01L21/76849 , H05K3/282 , H05K2203/1173 , Y10T428/24802
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括涂敷溶液涂料，溶液包含在载体中的掩模材料，掩模材料对于该现有图案一部分具有亲合力；和允许至少一部分掩模材料优先装配到现有图案的一部分。图案可以由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可以包括一种或多种金属元素和第二组区域可以包括电介质。可以处理第一和第二区域以具有不同的性能。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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公开(公告)号：CN100392813C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410049384.2
申请日：2004-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/32 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , H01L21/0274 , H01L21/32139 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/143 , Y10S430/151
Abstract: 本发明提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。
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公开(公告)号：CN1499290A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN03152547.4
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H05K3/0079 , H01L21/0331 , H01L21/76849 , H05K3/282 , H05K2203/1173 , Y10T428/24802
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括涂敷溶液涂料，溶液包含在载体中的掩模材料，掩模材料对于该现有图案一部分具有亲合力；和允许至少一部分掩模材料优先装配到现有图案的一部分。图案可以由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可以包括一种或多种金属元素和第二组区域可以包括电介质。可以处理第一和第二区域以具有不同的性能。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1284206C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN03152546.6
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/76849 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0331 , H01L21/31058 , H05K3/0079 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料；和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物，聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物，以提供适于聚合引发的官能团层，含有适于聚合增长的官能团的反应性分子，或反应性分子，其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层，它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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公开(公告)号：CN1585097A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410049384.2
申请日：2004-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/32 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , H01L21/0274 , H01L21/32139 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/143 , Y10S430/151
Abstract: 本发明提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。
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公开(公告)号：CN1499573A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN03152546.6
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/76849 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0331 , H01L21/31058 , H05K3/0079 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料；和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物，聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物，以提供适于聚合引发的官能团层，含有适于聚合增长的官能团的反应性分子或反应性分子，其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层，它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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