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公开(公告)号:CN111149168B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN201880062128.7
申请日:2018-09-13
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明特别地涉及一种电阻式存储器设备,其包括用于控制该电阻式存储器设备的控制单元和多个存储器单元。该多个存储器单元包括第一端子、第二端子和相变段,该相变段包括用于以多个电阻状态存储信息的相变材料。该相变段被布置在第一端子与第二端子之间。相变材料包括锑。此外,相变段的尺寸中的至少一个尺寸小于15纳米。电阻式存储器设备的附加实现方式包括相关方法、相关控制单元、相关存储器单元和相关计算机程序产品。
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公开(公告)号:CN111149168A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201880062128.7
申请日:2018-09-13
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明特别地涉及一种电阻式存储器设备,其包括用于控制该电阻式存储器设备的控制单元和多个存储器单元。该多个存储器单元包括第一端子、第二端子和相变段,该相变段包括用于以多个电阻状态存储信息的相变材料。该相变段被布置在第一端子与第二端子之间。相变材料包括锑。此外,相变段的尺寸中的至少一个尺寸小于15纳米。电阻式存储器设备的附加实现方式包括相关方法、相关控制单元、相关存储器单元和相关计算机程序产品。
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公开(公告)号:CN116134522A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202180056146.6
申请日:2021-07-19
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: G·S·锡德 , V·S·P·琼纳拉加达 , B·克斯汀 , M·乐加洛-布尔多 , A·塞巴斯蒂安
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种投射式存储器装置(1)包括碳基投射部件(20)。该装置(1)包括两个电极(32,34)、存储段(10)和投射部件(20)。该投射部件(20)与该存储段(10)形成连接该两个电极(32,34)的双部件。投射部件(20)平行于存储段(10)延伸并与存储段接触。该存储段(10)包括电阻性存储器材料,而该投射部件(20)包括非绝缘材料的薄膜,其实质上包括碳。在特定实施方式中,非绝缘材料和投射部件(20)实质上包括无定形碳。使用碳,特别是无定形碳作为投射部件(20)的主要成分,使得在调整投射部件(20)的电阻时可以实现前所未有的灵活性。
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