公开(公告)号：CN111149168B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201880062128.7

申请日：2018-09-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  亚琛工业大学

Inventor： W·科尔曼斯 ,  A·塞巴斯蒂安 ,  V·约纳拉加达 ,  M·萨林加 ,  B·克斯汀

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明特别地涉及一种电阻式存储器设备，其包括用于控制该电阻式存储器设备的控制单元和多个存储器单元。该多个存储器单元包括第一端子、第二端子和相变段，该相变段包括用于以多个电阻状态存储信息的相变材料。该相变段被布置在第一端子与第二端子之间。相变材料包括锑。此外，相变段的尺寸中的至少一个尺寸小于15纳米。电阻式存储器设备的附加实现方式包括相关方法、相关控制单元、相关存储器单元和相关计算机程序产品。

公开(公告)号：CN111149168A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062128.7

申请日：2018-09-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  亚琛工业大学

Inventor： W·科尔曼斯 ,  A·塞巴斯蒂安 ,  V·约纳拉加达 ,  M·萨林加 ,  B·克斯汀

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明特别地涉及一种电阻式存储器设备，其包括用于控制该电阻式存储器设备的控制单元和多个存储器单元。该多个存储器单元包括第一端子、第二端子和相变段，该相变段包括用于以多个电阻状态存储信息的相变材料。该相变段被布置在第一端子与第二端子之间。相变材料包括锑。此外，相变段的尺寸中的至少一个尺寸小于15纳米。电阻式存储器设备的附加实现方式包括相关方法、相关控制单元、相关存储器单元和相关计算机程序产品。