公开(公告)号：CN103946975B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280050854.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  R·L·布鲁斯 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。

公开(公告)号：CN103946954B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280052536.7

申请日：2012-10-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24479

Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。

公开(公告)号：CN103890918A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN103946975A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280050854.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  R·L·布鲁斯 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。

公开(公告)号：CN103946954A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280052536.7

申请日：2012-10-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24479

Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。

公开(公告)号：CN103890918B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN103855081A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310628390.2

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小凯波勒 ,  S·U·恩格尔曼 ,  B·L·弗莱彻 ,  M·S·戈登 ,  E·A·约瑟夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53257 ,  H01L2221/1068 ,  H01L2221/1073

Abstract: 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。

公开(公告)号：CN103855081B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310628390.2

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小凯波勒 ,  S·U·恩格尔曼 ,  B·L·弗莱彻 ,  M·S·戈登 ,  E·A·约瑟夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。

公开(公告)号：CN103858237A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280048518.1

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  M·A·古罗恩

IPC: H01L29/66

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00801 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  H01L21/565 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造将衬底上的机电器件和CMOS器件分隔开的阻挡层的结构和方法。示例性结构包括密封机电器件的保护层，其中所述阻挡层可以耐受能够去除所述保护层但不能去除所述阻挡层的蚀刻工艺。所述衬底可以是绝缘体上硅或者多层晶片衬底。所述机电器件可以是微机电系统（MEMS）或者纳机电系统（NEMS）。