公开(公告)号：CN1228849C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN99110452.8

申请日：1999-07-14

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： 加利·B·布郎奈尔 ,  拉尔蒂斯·艾克诺米科斯 ,  拉加拉奥·加米 ,  朴炳柱 ,  卡尔·J·拉登 ,  马丁·E·施莱姆斯

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/70

Abstract: 一种适用于半导体集成电路器件的沟槽电容器结构和用来制作此结构的工艺流程。借助于含有由织构的半球形晶粒硅组成的电容器平板，沟槽电容器提供了增大了的电容。为了减轻电容器储存电荷的消耗，沟槽电容器还包括掩埋平板。

公开(公告)号：CN1281259A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN99110452.8

申请日：1999-07-14

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： 加利·B·布郎奈尔 ,  拉尔蒂斯·艾克诺米科斯 ,  拉加拉奥·加米 ,  朴炳柱 ,  卡尔·J·拉登 ,  马丁·E·施莱姆斯

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/70

Abstract: 一种适用于半导体集成电路器件的沟槽电容器结构和用来制作此结构的工艺流程。借助于含有由织构的半球形晶粒硅组成的电容器平板,沟槽电容器提供了增大了的电容。为了减轻电容器储存电荷的消耗,沟槽电容器还包括掩埋平板。