公开(公告)号：CN102197485B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200980142295.3

申请日：2009-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  中辻广志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及显示装置。半导体装置具备薄膜晶体管(125)和薄膜二极管(126)，薄膜晶体管(125)的半导体层(108)和薄膜二极管(126)的半导体层(109)是通过使同一晶质半导体膜结晶而形成的晶质半导体层，在薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面形成有脊部，薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面粗糙度比薄膜晶体管(125)的半导体层(108)的表面粗糙度大。

公开(公告)号：CN102197485A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142295.3

申请日：2009-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  中辻广志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及显示装置。半导体装置具备薄膜晶体管(125)和薄膜二极管(126)，薄膜晶体管(125)的半导体层(108)和薄膜二极管(126)的半导体层(109)是通过使同一晶质半导体膜结晶而形成的晶质半导体层，在薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面形成有脊部，薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面粗糙度比薄膜晶体管(125)的半导体层(108)的表面粗糙度大。