公开(公告)号：CN105612608B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201480055288.0

申请日：2014-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  刀根觉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(11)；第一薄膜晶体管(10A)，其由基板(11)支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域(13c)；和第二薄膜晶体管(10B)，其由基板(11)支承，具有第二有源区域(17c)，该第二有源区域(17c)主要包含具有结晶部分的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN102197485B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200980142295.3

申请日：2009-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  中辻广志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及显示装置。半导体装置具备薄膜晶体管(125)和薄膜二极管(126)，薄膜晶体管(125)的半导体层(108)和薄膜二极管(126)的半导体层(109)是通过使同一晶质半导体膜结晶而形成的晶质半导体层，在薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面形成有脊部，薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面粗糙度比薄膜晶体管(125)的半导体层(108)的表面粗糙度大。

公开(公告)号：CN100345309C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。

公开(公告)号：CN1329991C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03105465.X

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN101663758B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880012745.2

申请日：2008-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1281

Abstract: 半导体装置(100)具备薄膜晶体管(123)和薄膜二极管(124)，该薄膜晶体管(123)具有包含沟道区域(114)、源极区域和漏极区域(112)的半导体层S1、控制沟道区域(114)的导电性的栅极电极(109)以及设置在半导体层和栅极电极(109)之间的栅极绝缘膜(108)，该薄膜二极管(124)具有至少包含n型区域(113)和p型区域(117)的半导体层S2。薄膜晶体管(123)的半导体层S1和薄膜二极管(124)的半导体层S2是通过使同一晶质半导体膜晶化形成的晶质半导体层，薄膜晶体管(123)的半导体层S1的结晶状态与薄膜二极管(124)的半导体层S2的结晶状态不同。

公开(公告)号：CN101743629A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024475.7

申请日：2008-06-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  桥本真人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种半导体装置，其具备至少一个薄膜晶体管116，所述薄膜晶体管116具有沟道形成区域110、包含源极区域和漏极区域113的晶质半导体层120、控制沟道形成区域110的导电性的栅极电极107、设置在半导体层120与栅极电极107之间的栅极绝缘膜106以及分别连接源极区域和漏极区域113的源极电极和漏极电极115，源极区域和漏极区域113中的至少一方区域包含成为施主或者受主的元素和稀有气体元素，沟道形成区域110不包含稀有气体元素，稀有气体元素的原子量大于成为施主或者受主的元素的原子量，至少一方区域在厚度方向上的稀有气体元素浓度从至少一方区域的上表面向下表面连续降低。

公开(公告)号：CN101663758A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012745.2

申请日：2008-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1281

Abstract: 半导体装置100具备薄膜晶体管123和薄膜二极管124，该薄膜晶体管123具有包含沟道区域114、源极区域和漏极区域112的半导体层S1、控制沟道区域114的导电性的栅极电极109以及设置在半导体层和栅极电极109之间的栅极绝缘膜108，该薄膜二极管124具有至少包含n型区域113和p型区域117的半导体层S2。薄膜晶体管123的半导体层S1和薄膜二极管124的半导体层S2是通过使同一晶质半导体膜晶化形成的晶质半导体层，薄膜晶体管123的半导体层S1的结晶状态与薄膜二极管124的半导体层S2的结晶状态不同。

公开(公告)号：CN100438077C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410000155.1

申请日：2004-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的半导体器件包括至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘膜以及栅极，其中半导体层具有包含沟道区、源区和漏区的结晶区，栅极绝缘膜至少形成在半导体层的沟道区、源区和漏区上，形成的栅极经过栅极绝缘膜与沟道区相对。至少一部分半导体层包括能促进结晶的催化剂元素，并且半导体层还包括吸杂区，该吸杂区包括浓度比沟道区或源区和漏区高的催化剂元素。吸杂区上的栅极绝缘膜的厚度小于源区和漏区上的栅极绝缘膜的厚度，或者栅极绝缘膜不形成在吸杂区上。

公开(公告)号：CN1518128A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000155.1

申请日：2004-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的半导体器件包括至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘膜以及栅极，其中半导体层具有包含沟道区、源区和漏区的结晶区，栅极绝缘膜至少形成在半导体层的沟道区、源区和漏区上，形成的栅极经过栅极绝缘膜与沟道区相对。至少一部分半导体层包括能促进结晶的催化剂元素，并且半导体层还包括吸杂区，该吸杂区包括浓度比沟道区或源区和漏区高的催化剂元素。吸杂区上的栅极绝缘膜的厚度小于源区和漏区上的栅极绝缘膜的厚度，或者栅极绝缘膜不形成在吸杂区上。

公开(公告)号：CN102047426B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200980119066.X

申请日：2009-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/861 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/58 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3269 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 一种半导体装置，其具备薄膜晶体管126和薄膜二极管127，薄膜晶体管126的半导体层109t和薄膜二极管127的半导体层109d是通过使同一非晶质半导体膜结晶化而形成的结晶质半导体层，薄膜晶体管126的半导体层109t包括具有促进非晶质半导体膜的结晶化的功能的催化剂元素，薄膜二极管127的半导体层109d实质上不包含催化剂元素。