公开(公告)号：CN110214198A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201780084480.6

申请日：2017-01-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川户伸一 ,  二星学 ,  小池英士 ,  井上智 ,  井上毅 ,  小林勇毅

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明的蒸镀用掩模是包含设置有供蒸镀颗粒通过的多个开口(4)的金属制基板(2)的蒸镀用掩模(1)，其中，多个开口(4)由多个开口组构成，开口组中的开口(4)按照一定的规则反复配置，以能够从一侧支承整个基板(2)的配置方式，仅在开口组形成区域(3)的外侧设置有同一高度的多个凸部(5)。

公开(公告)号：CN104303221B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201380025264.6

申请日：2013-06-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上毅

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种有源矩阵基板的制造方法，在像素区域形成栅极配线，并且在边框区域(17)形成多个配线层(26、27)。接着，形成覆盖配线层(26、27)和栅极配线的栅极绝缘层(32)和半导体材料层(35)。接着，形成在像素区域覆盖半导体材料层(35)的第1抗蚀剂和分别覆盖配线层(26、27)之间的栅极绝缘层(32)的第2抗蚀剂(42)。接着，对从第1和第2抗蚀剂(42)露出的半导体材料层(35)进行干式蚀刻，由此形成半导体元件的半导体层。

公开(公告)号：CN102939658A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN104303221A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025264.6

申请日：2013-06-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上毅

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种有源矩阵基板的制造方法，在像素区域形成栅极配线，并且在边框区域(17)形成多个配线层(26、27)。接着，形成覆盖配线层(26、27)和栅极配线的栅极绝缘层(32)和半导体材料层(35)。接着，形成在像素区域覆盖半导体材料层(35)的第1抗蚀剂和分别覆盖配线层(26、27)之间的栅极绝缘层(32)的第2抗蚀剂(42)。接着，对从第1和第2抗蚀剂(42)露出的半导体材料层(35)进行干式蚀刻，由此形成半导体元件的半导体层。

公开(公告)号：CN102939658B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。