公开(公告)号：CN107431021A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580078398.3

申请日：2015-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仲山宽 ,  小山顺一郎 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 在氮化物半导体场效应晶体管中，第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2)，另一方面，第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分，朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出，并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成，且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。

公开(公告)号：CN107431021B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201580078398.3

申请日：2015-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仲山宽 ,  小山顺一郎 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 在氮化物半导体场效应晶体管中，第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2)，另一方面，第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分，朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出，并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成，且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。

公开(公告)号：CN105074888A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019229.8

申请日：2014-01-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  民谷哲也 ,  仲山宽

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体层叠体(1、2)；和电极金属层(13)。电极金属层(13)包括：第一金属层(24)，该第一金属层(24)与氮化半导体层叠体(1、2)接合，并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造；和第二金属层(25)，该第二金属层(25)层叠在第一金属层(24)上，并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造，第二金属层(25)的微细柱状构造的柱部(B)的粗细方向的平均尺寸，大于第一金属层(24)的微细柱状构造的柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。