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公开(公告)号：CN106415794B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201580025673.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/301 , B24B27/06
Abstract: 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。
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公开(公告)号：CN105144379A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480023909.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H03K17/00 , H03K17/687
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/3107 , H01L23/3677 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/7827 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49052 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 形成有源极电极(120)的常截止型场效应晶体管(102)的主面与芯片焊盘(105)的第一主面相接触，芯片焊盘(105)兼作半导体器件(100)的源极端子。由此，提供一种能够降低在共源共栅连接电路的工作中最重要的电感，提高电路的工作性能的半导体器件。
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公开(公告)号：CN105074888A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480019229.8
申请日：2014-01-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/475 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体层叠体(1、2)；和电极金属层(13)。电极金属层(13)包括：第一金属层(24)，该第一金属层(24)与氮化半导体层叠体(1、2)接合，并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造；和第二金属层(25)，该第二金属层(25)层叠在第一金属层(24)上，并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造，第二金属层(25)的微细柱状构造的柱部(B)的粗细方向的平均尺寸，大于第一金属层(24)的微细柱状构造的柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN104704616A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052563.9
申请日：2013-10-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8236 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H03K17/687 , H01L21/823475 , H01L24/05 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/0883 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41758 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 场效应晶体管包括形成在源极电极(38)上并且与源极电极(38)电连接的源极电极焊盘(16)和形成在漏极电极(37)上并且与漏极电极(37)电连接的漏极电极焊盘(15)中的至少一方，源极电极焊盘(16)具有使其与漏极电极(37)之间的寄生电容减少的缺口(504、505)，漏极电极焊盘(15、65、115)具有使其与源极电极(38、88、138)之间的寄生电容减少的缺口(501、502)。
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公开(公告)号：CN104185899A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380016278.1
申请日：2013-03-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L2924/01017
Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm-3以下的第二氯浓度峰(P22)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104115262A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380009413.X
申请日：2013-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/28575 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰。
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公开(公告)号：CN104185899B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380016278.1
申请日：2013-03-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L2924/01017
Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm‑3以下的第二氯浓度峰(P22)。
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公开(公告)号：CN102074631B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201010516174.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
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公开(公告)号：CN102042540B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010511004.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0806 , H05B33/0803 , H05B33/0821
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN104115262B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380009413.X
申请日：2013-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/28575 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰。(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面
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