公开(公告)号：CN101636827A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008554.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守屋由瑞 ,  中岛睦 ,  海瀬泰佳 ,  喜多诚 ,  松木园广志 ,  伊藤良行

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。

公开(公告)号：CN101636827B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200880008554.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守屋由瑞 ,  中岛睦 ,  海瀬泰佳 ,  喜多诚 ,  松木园广志 ,  伊藤良行

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。