公开(公告)号：CN101765871B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200880101149.1

申请日：2008-08-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 喜多诚

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1341

Abstract: 本发明涉及显示装置，其包括：相互相对的第一基板和第二基板；和将第一基板和第二基板粘接的矩形框状的密封材料，第一基板具有：与密封材料的角部重叠的配线层；包括依次层叠在配线层上的无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层绝缘膜；和设置在叠层绝缘膜上，通过形成于该叠层绝缘膜的接触孔与配线层连接的透明导电层，第二基板具有与透明导电层电连接的电极层，无机绝缘膜具有在密封材料的角部从有机绝缘膜露出的露出部，露出部整体从透明导电层露出，在露出部中，在配线层形成有贯通孔，无机绝缘膜以覆盖该贯通孔的方式设置。

公开(公告)号：CN101765871A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880101149.1

申请日：2008-08-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 喜多诚

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1341

Abstract: 本发明涉及显示装置，其包括：相互相对的第一基板和第二基板；和将第一基板和第二基板粘接的矩形框状的密封材料，第一基板具有：与密封材料的角部重叠的配线层；包括依次层叠在配线层上的无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层绝缘膜；和设置在叠层绝缘膜上，通过形成于该叠层绝缘膜的接触孔与配线层连接的透明导电层，第二基板具有与透明导电层电连接的电极层，无机绝缘膜具有在密封材料的角部从有机绝缘膜露出的露出部，露出部整体从透明导电层露出，在露出部中，在配线层形成有贯通孔，无机绝缘膜以覆盖该贯通孔的方式设置。

公开(公告)号：CN101636827B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200880008554.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守屋由瑞 ,  中岛睦 ,  海瀬泰佳 ,  喜多诚 ,  松木园广志 ,  伊藤良行

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。

公开(公告)号：CN101636828A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008589.2

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 喜多诚 ,  中岛睦 ,  守屋由瑞 ,  海瀬泰佳

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，令使以最短距离连接沟道区域(134)和吸杂区域(112)的线段投影在连接TFT(130)的沟道区域(134)和源极接触部的直线上的长度为d 1 ，令从沟道区域(134)至源极接触部(132c)的长度为d 2 ，令从沟道区域(134)至第一端部(110a)的长度为d 3 ，令第一端部(110a)的长度为L 1 ，令源极接触部(132c)的长度为A 1 ，则满足d 2 ＞d 1 和d 2 +A 1 /2＞d 3 +L 1 /2。

公开(公告)号：CN101636828B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200880008589.2

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 喜多诚 ,  中岛睦 ,  守屋由瑞 ,  海瀬泰佳

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，令使以最短距离连接沟道区域(134)和吸杂区域(112)的线段投影在连接TFT(130)的沟道区域(134)和源极接触部的直线上的长度为d1，令从沟道区域(134)至源极接触部(132c)的长度为d2，令从沟道区域(134)至第一端部(110a)的长度为d3，令第一端部(110a)的长度为L1，令源极接触部(132c)的长度为A1，则满足d2＞d1和d2+A1/2＞d3+L1/2。

公开(公告)号：CN101636827A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008554.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守屋由瑞 ,  中岛睦 ,  海瀬泰佳 ,  喜多诚 ,  松木园广志 ,  伊藤良行

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。