公开(公告)号：CN102859693B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180019503.8

申请日：2011-04-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈岛奈美 ,  藤原正弘

IPC: H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14678 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/042 ,  H01L27/14645

Abstract: 半导体装置(100)具备：在基板上形成于每个像素的第1导电型的第1薄膜晶体管(105)；以及多个光传感部(200)，各光传感部(200)包含：包含薄膜二极管(202)的受光部；存储由薄膜二极管(202)产生的光电流的电容(206)；第1导电型的第2薄膜晶体管(204)，受光部通过第2薄膜晶体管(204)连接于电容(206)，第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管(105、204)与薄膜二极管(202)具有由同一半导体膜形成的半导体层，第1薄膜晶体管(105)的特性与第2薄膜晶体管(204)的特性不同。由此，能够与各个薄膜晶体管所要求的特性相应地控制像素用的薄膜晶体管和在光传感部使用的薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN102859693A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019503.8

申请日：2011-04-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈岛奈美 ,  藤原正弘

IPC: H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14678 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/042 ,  H01L27/14645

Abstract: 半导体装置(100)具备：在基板上形成于每个像素的第1导电型的第1薄膜晶体管(105)；以及多个光传感部(200)，各光传感部(200)包含：包含薄膜二极管(202)的受光部；存储由薄膜二极管(202)产生的光电流的电容(206)；第1导电型的第2薄膜晶体管(204)，受光部通过第2薄膜晶体管(204)连接于电容(206)，第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管(105、204)与薄膜二极管(202)具有由同一半导体膜形成的半导体层，第1薄膜晶体管(105)的特性与第2薄膜晶体管(204)的特性不同。由此，能够与各个薄膜晶体管所要求的特性相应地控制像素用的薄膜晶体管和在光传感部使用的薄膜晶体管的特性。