公开(公告)号：CN111886930B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880091588.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉村健一 ,  小桥正 ,  加护政史 ,  两轮达也 ,  和泉真

IPC: H05B33/12 ,  G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02F1/13357 ,  G09F9/30 ,  H01L33/04 ,  H05B33/14

Abstract: 一种发光装置包括：阳极(610)；阴极(660)；多个发光层(420、602、430、603)，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层(450、550)，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。

公开(公告)号：CN111886930A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201880091588.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉村健一 ,  小桥正 ,  加护政史 ,  两轮达也 ,  和泉真

IPC: H05B33/12 ,  G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02F1/13357 ,  G09F9/30 ,  H01L33/04 ,  H05B33/14

Abstract: 一种发光装置包括：阳极(610)；阴极(660)；多个发光层(420、602、430、603)，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层(450、550)，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。

公开(公告)号：CN112514537A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201880096099.6

申请日：2018-08-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小桥正 ,  吉村健一 ,  加护政史 ,  岩田升

IPC: H05B33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L51/50 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

Abstract: 发光层包含包括ZnSe的ZnSe量子点，电子传输层是由平均粒径为3nm以上且30nm以下的ZnO粒子构成的电致发光元件。