公开(公告)号：CN1862769A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082420.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

公开(公告)号：CN100468626C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610082420.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

公开(公告)号：CN1265423C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN02141410.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/949

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。