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公开(公告)号：CN109982633B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201780068397.X
申请日：2017-11-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: A61B5/02
Abstract: 高精度地检测生物体的脉搏。脉搏检测装置(2A)具备：照相机(10A)，其通过在氧化的血红蛋白的光吸收系数比还原的血红蛋白的光吸收系数大的波长区域中的近红外光波长区域具有光透射特性的第一绿色滤色器以及红外光滤色器多次拍摄所述生物体；及图像分析部(20A)，其通过对由照相机(10A)拍摄到的多个所述生物体的图像进行分析来检测所述生物体的脉搏，图像分析部(20A)通过检测由所述多个图像所示的、近红外光波长区域的光的强度的变化来检测所述脉搏。
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公开(公告)号：CN102446548A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110292340.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79
Abstract: 非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。
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公开(公告)号：CN102446548B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110292340.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79
Abstract: 非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109982633A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780068397.X
申请日：2017-11-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: A61B5/02
Abstract: 高精度地检测生物体的脉搏。脉搏检测装置(2A)具备：照相机(10A)，其通过在氧化的血红蛋白的光吸收率比还原的血红蛋白的光吸收率大的波长区域中的近红外光波长区域具有光透射特性的第一绿色滤色器以及红外光滤色器多次拍摄所述生物体；及图像分析部(20A)，其通过对由照相机(10A)拍摄到的多个所述生物体的图像进行分析来检测所述生物体的脉搏，图像分析部(20A)通过检测由所述多个图像所示的、近红外光波长区域的光的强度的变化来检测所述脉搏。
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公开(公告)号：CN102820063B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210187984.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现在长期间的数据保持特性上优越且能高效地进行读出时的数据的错误检测和纠正的半导体存储装置。在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置（1）中，将在使该可变电阻元件转变成高电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的高电阻状态的电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内。具体地说，设定在伴随着使该电压振幅上升，转变后的高电阻状态的电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且，在利用ECC电路（106）检测出数据错误的情况下，视为本来应是低电阻状态的数据变化成了高电阻状态，将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态，对检测出错误的位进行纠正。
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公开(公告)号：CN102347445B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110215067.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。
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公开(公告)号：CN102820063A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210187984.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现在长期间的数据保持特性上优越且能高效地进行读出时的数据的错误检测和纠正的半导体存储装置。在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置（1）中，将在使该可变电阻元件转变成高电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的高电阻状态的电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内。具体地说，设定在伴随着使该电压振幅上升，转变后的高电阻状态的电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且，在利用ECC电路（106）检测出数据错误的情况下，视为本来应是低电阻状态的数据变化成了高电阻状态，将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态，对检测出错误的位进行纠正。
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公开(公告)号：CN102347445A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110215067.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。
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