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公开(公告)号：CN101553924B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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公开(公告)号：CN102446548A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110292340.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79
Abstract: 非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。
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公开(公告)号：CN102420013B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110285490.0
申请日：2011-09-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097
Abstract: 半导体存储器设备，其中不管作为写入动作（擦除和编程动作）的目标的存储器单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将可变电阻元件的电阻状态带入具有最低电阻值的擦除状态的擦除电压脉冲。此后，向编程动作目标存储器元件的可变电阻元件施加将可变电阻元件的电阻状态带入所需编程状态的编程电压脉冲。通过总是在施加擦除电压脉冲之后施加编程电压脉冲，可以避免连续地施加多个编程电压脉冲。而且，存储器单元阵列由偶数个子组块构成，且交替地执行一个子组块中擦除电压脉冲的施加和另一子组块中编程电压脉冲的施加。
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公开(公告)号：CN102194524B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110064421.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人金泽大学
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置（101）设有：位线电压调整电路（25），针对位线的每一条，将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位；以及数据线电压调整电路（27、28），针对数据线的每一条，将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路（25、27、28）分别包括运算放大器和晶体管，对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压，并且，该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线，由此，该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102420014A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110285501.5
申请日：2011-09-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 所提供的是一种半导体存储设备，其能在随机存取编程动作中以期望的可控性稳定地编程到期望的电阻状态，并且配备有可变电阻元件。不管作为写动作(擦除动作和编程动作)的目标的存储单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到具有最小电阻值的被擦除状态的擦除电压脉冲。此后，用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到期望的被编程状态的编程电压脉冲被施加到所述编程动作目标存储单元的所述可变电阻元件。通过在已经施加了所述擦除电压脉冲之后一直施加所述编程电压脉冲，能够避免被顺序地施加的多个编程电压脉冲。
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公开(公告)号：CN109387894A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810786625.3
申请日：2018-07-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 抑制随着小型化的滤波器的特性的下降。周期性结构滤波器(2)中,多种种类的滤波器(22)中的至少一种滤波器以在与滤波器的表面的法线方向正交的方向上,光学参数或形状具有规定的空间规律而变化的方式构成,任意单元(21)、及与该任意单元相邻的至少一个单元的每一个所包含的相同种类滤波器之中的至少一种滤波器以相邻的方式配置。
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公开(公告)号：CN108738372A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201780007334.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提出的拍摄装置减少红外光图像中包含的映入像的影响。拍摄部(20)具备：拍摄元件(21)，包含红外光图像拍摄区域(21a)以及可见光图像拍摄区域(21b)；以及偏振滤光器(25)，包含主轴方向相互不同的多个偏振元件(25a～25d)的多个偏振单元与构成红外光图像拍摄区域的多个像素对应地二维排列。
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公开(公告)号：CN102339636A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110198320.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。
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公开(公告)号：CN101553924A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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