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公开(公告)号：CN107409455A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680014312.5
申请日：2016-03-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/10 , B23K26/064 , B23K26/402 , B23K26/57 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L51/56 , B23K26/064 , B23K26/57 , B23K2101/36 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L2251/56 , H05B33/10
Abstract: 具备：元件形成工序，在透明的支承基板8上形成基板层10之后，在该基板层10上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb，使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离，在元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。
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公开(公告)号：CN103348484A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007738.X
申请日：2012-01-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。
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公开(公告)号：CN102308330A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200980156141.X
申请日：2009-12-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , H05K1/09 , H05K1/11
CPC classification number: H05K1/115 , G02F1/1345 , G02F1/13458 , H05K2201/0326 , H05K2201/09509
Abstract: 由透明导电薄膜(10)在多个部位连接第1配线(2)和第2配线(6)来构成连接端子。连接端子部分成为利用第1配线(2)和第2配线(6)的并联连接，且第1配线(2)和第2配线(6)在多个部位连接，因此，大幅度降低断线的风险。由此，防止显示装置等的连接端子部分的腐蚀造成的断线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102834547B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201180007492.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 夏普株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H05K3/067 , H01L2924/00
Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。
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公开(公告)号：CN101842827A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880101062.4
申请日：2008-08-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1345 , H01L27/1244 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置。本发明涉及用于液晶显示装置的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶显示装置。本发明的有源矩阵基板(30)具备：基板；形成在基板上的栅极配线(50)；和层间绝缘层(90)，该层间绝缘层(90)用于将形成在栅极配线(50)上的其它层与栅极配线(50)绝缘，在基板的一部分区域中，层间绝缘层(90)不设置在栅极配线(50)的上表面而使上表面露出，另一方面，在栅极配线(50)的至少沿着长度方向的端面，层间绝缘层(90)以与端面相接的方式设置在基板上。根据本发明，能够减少在有源矩阵基板的制造时和部件安装时的不良情况的产生，因此能够利用在追求低成本且高可靠性的液晶显示装置的制造中。
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公开(公告)号：CN110476255B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780089175.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS‑TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。
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公开(公告)号：CN111919512B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880091991.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/131
Abstract: 设置于边框区域(F)的折弯区域(B)中，在无机叠层膜(La)上形成开口部(Sa)，俯视时，在开口部(Sa)岛状地设置有多个无机层叠膜(La)的剩余层(Lba)，并且在相邻的剩余层(Lba)之间配置有边框配线(22)。
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公开(公告)号：CN103733727B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280039897.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L27/156 , H01L33/42 , H01L51/0023 , H01L2251/308 , H05B33/28
Abstract: 在a—ITO层(112)上形成IZO层(113)，至少在子像素(71R、71G)形成膜厚不同的抗蚀剂图案(202R、202G)，利用通过灰化实现的抗蚀剂图案(202R、202G)的薄膜化以及通过a—ITO层(112)向p—ITO层(114)的转化来实现的蚀刻耐性的变化，对a—ITO层(112)和IZO层(113)进行蚀刻。
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