公开(公告)号：CN112714960B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN201880097494.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中村好伸 ,  春口佳代

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123

Abstract: 显示装置(1)具有包括驱动晶体管(2a)和开关晶体管(2b)的像素电路，驱动晶体管(2a)在基板(10)上层叠无机绝缘膜(20)、氧化物半导体层(50)、上部栅极绝缘层(60)、上部栅极电极(70)以及层间绝缘膜(80)而形成。驱动晶体管(2a)及开关晶体管(2b)由氧化物半导体层(50)形成，包括分别对应且呈岛状设置的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜具有与对应的上部栅极电极(70)重叠的沟道区域、将沟道区域夹在相互之间而设置的源极区域及漏极区域。驱动晶体管(2a)在无机绝缘膜(20)与氧化物半导体层(50)之间设置有下部栅极电极(30)和下部栅极绝缘层(40)。驱动晶体管(2a)的下部栅极电极(30)的长度为驱动晶体管(2a)的上部栅极电极(70)的长度以下。

公开(公告)号：CN112714960A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201880097494.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中村好伸 ,  春口佳代

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

Abstract: 显示装置(1)具有包括驱动晶体管(2a)和开关晶体管(2b)的像素电路，驱动晶体管(2a)在基板(10)上层叠无机绝缘膜(20)、氧化物半导体层(50)、上部栅极绝缘层(60)、上部栅极电极(70)以及层间绝缘膜(80)而形成。驱动晶体管(2a)及开关晶体管(2b)由氧化物半导体层(50)形成，包括分别对应且呈岛状设置的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜具有与对应的上部栅极电极(70)重叠的沟道区域、将沟道区域夹在相互之间而设置的源极区域及漏极区域。驱动晶体管(2a)在无机绝缘膜(20)与氧化物半导体层(50)之间设置有下部栅极电极(30)和下部栅极绝缘层(40)。驱动晶体管(2a)的下部栅极电极(30)的长度为驱动晶体管(2a)的上部栅极电极(70)的长度以下。