公开(公告)号：CN104380474B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104247031B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化

公开(公告)号：CN103765494B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280041110.1

申请日：2012-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中野文树

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127

Abstract: 本发明的显示装置具备电路基板、像素驱动用TFT和驱动电路用TFT，其中，电路基板具有显示区域和非显示区域，像素驱动用TFT形成在显示区域中，用于驱动像素，具有：在绝缘膜上相互分隔地配置的源极电极和漏极电极；和由氧化物半导体形成的第一有源层，该第一有源层设置成从与绝缘膜相反的一侧覆盖源极电极与漏极电极之间的分隔部和与分隔部相邻的源极电极的一部分和漏极电极的一部分，驱动电路用TFT形成在非显示区域中，具有由非氧化物半导体形成的第二有源层，用于驱动像素驱动用TFT。

公开(公告)号：CN103975270B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201280059462.X

申请日：2012-12-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  宫本忠芳

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

Abstract: 各子像素(P)的辅助电容(6)由各透明电极、各像素电极以及设置在它们之间的电容绝缘膜构成，各子像素(P)的开关元件(5a)沿矩阵状的多个子像素(P)的列方向按每规定的子像素(P)与相互不同的源极线(15a)连接，多个透明电极构成为：按照在配置于以宽间隔相邻的一对栅极线(13)之间的在规定的方向上相邻的一对子像素(P)之间共有的方式设置，向在行方向上相邻的透明电极彼此输入相互不同的信号。

公开(公告)号：CN102576739B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080047785.8

申请日：2010-07-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  北角英人 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明的目的在于，提供简化了开设接触孔的工序的薄膜晶体管的制造方法。由于预先除去了没有被TFT(100)的沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的栅极绝缘膜(115)，所以形成在没有被沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的绝缘膜的膜厚，变得与形成在源极区域(120a)和漏极区域(120b)上的绝缘膜的膜厚相等。因此，能够同时开设到达栅极电极(110)的表面的接触孔(155)、到达源极区域(120a)的表面的接触孔(135a)、和到达漏极区域(120b)的表面的接触孔(135b)。

公开(公告)号：CN104094409A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007460.0

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN102576739A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047785.8

申请日：2010-07-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  北角英人 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明的目的在于，提供简化了开设接触孔的工序的薄膜晶体管的制造方法。由于预先除去了没有被TFT(100)的沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的栅极绝缘膜(115)，所以形成在没有被沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的绝缘膜的膜厚，变得与形成在源极区域(120a)和漏极区域(120b)上的绝缘膜的膜厚相等。因此，能够同时开设到达栅极电极(110)的表面的接触孔(155)、到达源极区域(120a)的表面的接触孔(135a)、和到达漏极区域(120b)的表面的接触孔(135b)。

公开(公告)号：CN110291644A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201880011441.8

申请日：2018-02-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备包含支撑于基板(1)的TFT(30A)的周边电路，在从基板(1)的法线方向观看时，TFT(30A)的第1栅极电极(3)具有相互相对的第1缘部和第2缘部(3e1、3e2)，第1缘部和第2缘部在沟道宽度方向上横穿氧化物半导体层(7)而延伸，第1缘部和第2缘部中的至少一方在与氧化物半导体层(7)重叠的区域具有：在沟道长度方向上凹陷的第1凹部(40)；以及与第1凹部在沟道宽度方向上相邻的第1部分(41)，在从基板(1)的法线方向观看时，TFT(30A)的源极电极(8)或漏极电极(9)是与第1凹部(40)的至少一部分以及第1部分(41)的至少一部分重叠的。

公开(公告)号：CN109698218A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811224781.7

申请日：2018-10-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  细川真里 ,  中村好伸 ,  锦博彦

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12

Abstract: 提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。

公开(公告)号：CN109494229A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811051186.8

申请日：2018-09-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中村好伸

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 减小形成于有源矩阵基板的多路分配电路的TFT的尺寸。多路分配电路的各单位电路具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到1个视频信号线，各TFT具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在第1层间绝缘层上，第1电极配置在第1层间绝缘层与第2层间绝缘层之间并且在形成于第1层间绝缘层的第1接触孔内与氧化物半导体层接触，第2电极配置在第2层间绝缘层上并且在形成于第1层间绝缘层和第2层间绝缘层的第2接触孔内与氧化物半导体层接触。