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公开(公告)号：CN101331553A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046853.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森本英德
CPC classification number: G11C17/18 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/77
Abstract: 提供了一种非易失性半导体存储器件，用于抑制由交叉点型存储器阵列的字线或位线处的IR降引起的存储器特性退化。非易失性半导体存储器件包括字线选择电路(14)，该字线选择电路从多个字线选择所选字线，并且单独地将所选字线电压提供给所选字线以及将未选字线电压提供给未选字线；位线选择电路(15)，该位线选择电路从多个位线选择所选位线，并且单独地将所选位线电压提供给所选位线以及将未选位线电压提供给未选位线；和电压控制电路(16)和(17)，所述电压控制电路单独地控制多个字线和多个位线处的电压波动中的至少任一个，其中至少多个字线或多个位线在离连接字线选择电路(14)或位线选择电路(15)的驱动点最远的电压控制点处连接到电压控制电路(16)和(17)。
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公开(公告)号：CN101316329A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810131470.6
申请日：2008-05-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N5/3741 , H04N5/3598
Abstract: 本发明涉及固态图像获取设备及电子信息装置。提供了一种固态图像获取设备，并且在3TR结构的像素中，该固态图像获取设备在重置操作时提高信号电荷累积部分的重置电位，从而在信号电荷转移时充分保证在信号电压和重置电压之间的电位差，很容易实现从光电转换元件向信号电荷累积部分信号电荷的全部转移，并且可以得到一个可靠的环境。
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公开(公告)号：CN1505054A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310120109.0
申请日：2003-12-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森本英德
Abstract: 提供一种可迅速且正确进行数据的擦除、再写入的自由度高的半导体存储装置及存储单元阵列的擦除方法。具备对于将由利用电阻变化存储信息的可变电阻元件(24)和选择晶体管(21)构成的非易失性存储单元(20)矩阵配置，并且为选择规定的存储单元配置字线(WL1…WLm)与位线(BL1…BLn)而形成的存储单元阵列，分别以规定的施加条件在与存储单元阵列连接的字线(WL)、位线(BL)及源线(SL)上施加电压，而使可变电阻元件的电阻成为规定的擦除状态的擦除机构(13)，该擦除机构根据电压施加条件切换批擦除存储单元阵列内的全部存储单元的批擦除模式和个别地擦除该存储单元阵列内的一部分存储单元的个别擦除模式。
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公开(公告)号：CN100479057C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200410049056.2
申请日：2004-06-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森本英德
IPC: G11C11/34 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0071 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其控制方法。非易失性半导体存储装置包括：存储器阵列(101)，其在半导体基片上，在行方向及列方向分别配置多个连接由基于电应力的电阻变化来存储信息的可变电阻元件的一端与选择晶体管的漏极而形成的存储单元；电压开关电路(110)，其切换对与存储单元连接的源极线及位线施加的写入电压、删除电压及读出电压；脉冲电压施加电路(108)。上述脉冲电压施加电路(108)，在经由电压开关电路(110)，对与存储器阵列(101)内的写入或删除对象的存储单元连接的位线及源极线施加与位线及源极线分别对应的写入电压或删除电压的状态下，对与该存储单元连接的选择晶体管的栅电极所连接的字线施加写入用或删除用电压脉冲。
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公开(公告)号：CN100354977C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200310120109.0
申请日：2003-12-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森本英德
Abstract: 提供一种可迅速且正确进行数据的擦除、再写入的自由度高的半导体存储装置及存储单元阵列的擦除方法。具备对于将由利用电阻变化存储信息的可变电阻元件(24)和选择晶体管(21)构成的非易失性存储单元(20)矩阵配置，并且为选择规定的存储单元配置字线(WL1…WLm)与位线(BL1…BLn)而形成的存储单元阵列，分别以规定的施加条件在与存储单元阵列连接的字线(WL)、位线(BL)及源线(SL)上施加电压，而使可变电阻元件的电阻成为规定的擦除状态的擦除机构(13)，该擦除机构根据电压施加条件切换批擦除存储单元阵列内的全部存储单元的批擦除模式和个别地擦除该存储单元阵列内的一部分存储单元的个别擦除模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1741194A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510087650.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置包括：存储单元选择电路(17)，以行、列或存储单元为单位从存储单元阵列(15)中选择存储单元；读出电压施加电路(22a)，对由存储单元选择电路(17)选出的选择存储单元的可变电阻元件施加读出电压；读出电路(23)，对选择存储单元内的读出对象存储单元检测与该可变电阻元件的电阻值对应流过的读出电流的大小，再读出存储在读出对象存储单元中的信息；读出电压施加电路(22a)将和读出电压反极性的伪读出电压施加给选择存储单元的可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN1542848B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200410034329.6
申请日：2004-04-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森本英德
IPC: G11C11/36
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/15 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1675
Abstract: 存储单元(33)中可调电阻元件(31)和肖特基二极管(32)彼此串联。在存储器件中，位线(BL0、BL1和BL2)排列在列向，位线(BL)的一端和位线解码器(34)连接，另一端连接读取电路(37)。字线(WL0、WL1和WL2)排列在行向，和位线(BL)交叉，字线(WL)的两端和字线解码器(35和36)连接。换句话说，位线(BL)和字线(WL)以矩阵排列以及存储单元(33)位于位线(BL)和字线(WL)彼此交叉的位置，其构成存储器件。存储单元(33)和存储器件的读取干扰的影响得以减小。
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公开(公告)号：CN100485811C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200510087650.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置包括：存储单元选择电路(17)，以行、列或存储单元为单位从存储单元阵列(15)中选择存储单元；读出电压施加电路(22a)，对由存储单元选择电路(17)选出的选择存储单元的可变电阻元件施加读出电压；读出电路(23)，对选择存储单元内的读出对象存储单元检测与该可变电阻元件的电阻值对应流过的读出电流的大小，再读出存储在读出对象存储单元中的信息；读出电压施加电路(22a)将和读出电压反极性的伪读出电压施加给选择存储单元的可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN100388388C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310122544.7
申请日：2003-12-03
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C16/3413 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本发明记载半导体存储器设备及数据写入方法，提供一种包括多个存储单元的半导体存储器设备，所述多个存储单元的一个存储单元包括可变电阻器和连接到所述可变电阻器的晶体管，所述可变电阻器的电阻值能够依照施加在其上的电压的变化而具有可逆的转换，在相继的写操作中，施加到所述可变电阻器的电压渐增地增加，直到所述可变电阻器的电阻值被设定到指定的电压范围为止，并且当所述电阻值超过所述指定的电压范围之时，可逆地只把多个存储单元中的所述存储单元的所述可变电阻器的电阻值改变到数据擦除范围，然后针对所述可变电阻器重复写操作。
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公开(公告)号：CN1574076A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049056.2
申请日：2004-06-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森本英德
IPC: G11C11/34 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0071 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 非易失性半导体存储装置包括：存储器阵列(101)，其在半导体基片上，在行方向及列方向分别配置多个连接由基于电应力的电阻变化来存储信息的可变电阻元件的一端与选择晶体管的漏极而形成的存储单元；电压开关电路(110)，其切换对与存储单元连接的源极线及位线施加的写入电压、删除电压及读出电压；脉冲电压施加电路(108)。上述脉冲电压施加电路(108)，在经由电压开关电路(110)，对与存储器阵列(101)内的写入或删除对象的存储单元连接的位线及源极线施加与位线及源极线分别对应的写入电压或删除电压的状态下，对与该存储单元连接的选择晶体管的栅电极所连接的字线施加写入用或删除用电压脉冲。
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