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公开(公告)号：CN100367411C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200310119596.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松冈伸明
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2211/5624 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本发明的半导体存储装置具备：具有由电应力导致电阻变化且在上述电应力解除后也保持变化了的可变电阻元件(R11～Rij)与N型MOSFET构成的选择晶体管(T11～Tij)的存储单元(1c)成矩阵状配置的存储器阵列(1)；在上述可变电阻元件(R11～Rij)上施加电应力来向上述存储单元(1c)写入数据的写入机构(2)；检测进行写入操作时上述电阻的变化的写入状态检测机构(3)；以及直到上述电阻变化为规定的参考值时停止电应力的施加的写入控制机构(4)。由此，构成达到写入处理所需时间的缩短化目的与写入精度高的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN1505052A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310119596.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松冈伸明
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2211/5624 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本发明的半导体存储装置具备：具有由电应力导致电阻变化且在上述电应力解除后也保持变化了的可变电阻元件(R11～Rij)与N型MOSFET构成的选择晶体管(T11～Tij)的存储单元(1c)成矩阵状配置的存储器阵列(1)；在上述可变电阻元件(R11～Rij)上施加电应力来向上述存储单元(1c)写入数据的写入机构(2)；检测进行写入操作时上述电阻的变化的写入状态检测机构(3)；以及直到上述电阻变化为规定的参考值时停止电应力的施加的写入控制机构(4)。由此，构成达到写入处理所需时间的缩短化目的与写入精度高的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN101316329A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810131470.6
申请日：2008-05-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N5/3741 , H04N5/3598
Abstract: 本发明涉及固态图像获取设备及电子信息装置。提供了一种固态图像获取设备，并且在3TR结构的像素中，该固态图像获取设备在重置操作时提高信号电荷累积部分的重置电位，从而在信号电荷转移时充分保证在信号电压和重置电压之间的电位差，很容易实现从光电转换元件向信号电荷累积部分信号电荷的全部转移，并且可以得到一个可靠的环境。
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公开(公告)号：CN1551229A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038651.6
申请日：2004-05-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元。各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元。此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100419908C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410038651.6
申请日：2004-05-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元。各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元。此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线。
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公开(公告)号：CN100390902C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200310119592.0
申请日：2003-12-04
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松冈伸明
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C16/349 , G11C2013/0054 , G11C2211/5634 , G11C2211/5644 , G11C2213/31
Abstract: 本发明的半导体存储装置构成为，具备：存储单元(1)；存储有参考值的参考单元(2)；对参考单元(2)的读出次数进行计数的计数器电路(3)；在上述读出次数达到规定值时，确认参考值是否在预先设定的范围内的确认机构(4)；和在确认为参考值在范围外时，利用主参考单元(6)将该参考值修正为收纳在范围内的修正机构(5)。同时，本发明也提供一种参考单元的修正方法，利用该方法，当参考值在所述范围外时，能够将该参考值修正成收纳在所述范围内。因此，利用本发明，可以提供有效修正参考单元的状态、防止干扰等造成的参考单元的劣化并且高精度地保持参考单元的值的半导体存储装置以及参考单元的修正方法。
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公开(公告)号：CN1506977A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310119592.0
申请日：2003-12-04
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松冈伸明
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C16/349 , G11C2013/0054 , G11C2211/5634 , G11C2211/5644 , G11C2213/31
Abstract: 本发明的半导体存储装置构成为，具备：1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元(1)；存储有读出在存储单元(1)内存储的数据值时所使用的参考值的参考单元(2)；对参考单元(2)的读出次数进行计数的计数器电路(3)；在所计数的上述读出次数达到规定值时，确认参考单元中存储的参考值是否在预先设定的范围内的确认机构(4)；和在由确认机构(4)确认为参考值在范围外的情况下，利用主参考单元(6)将该参考值修正为收纳在范围内的修正机构(5)。根据该构成，可以提供有效修正参考单元的状态，防止干扰等造成的参考单元的劣化，高精度地保持参考单元的值的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN101316329B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810131470.6
申请日：2008-05-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N5/3741 , H04N5/3598
Abstract: 本发明涉及固态图像获取设备及电子信息装置。提供了一种固态图像获取设备，并且在3TR结构的像素中，该固态图像获取设备在重置操作时提高信号电荷累积部分的重置电位，从而在信号电荷转移时充分保证在信号电压和重置电压之间的电位差，很容易实现从光电转换元件向信号电荷累积部分信号电荷的全部转移，并且可以得到一个可靠的环境。
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