固态图像捕获装置以及电子信息装置

    公开(公告)号:CN101359674B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200810145150.6

    申请日:2008-08-04

    Inventor: 永井谦一

    CPC classification number: H01L27/14643 H01L27/14603 H01L27/14641

    Abstract: 本发明提供固态图像捕获装置以及电子信息装置。提供一种具有二像素共享结构的固态图像捕获装置。用于复位浮置扩散的电势到预定电势的复位部和用于根据浮置扩散的电压放大信号以读出信号的信号放大部分开的布置。复位部的有源区被配置为作为浮置扩散的有源区。从浮置扩散延伸到信号放大部的控制电极的布线被形成为,具有最短长度的直线布局的第一层金属布线。光接收部的中心与像素的中心一致,并且以规则的光学间隔布置像素的中心。

    固态图像捕获装置以及电子信息装置

    公开(公告)号:CN101359674A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810145150.6

    申请日:2008-08-04

    Inventor: 永井谦一

    CPC classification number: H01L27/14643 H01L27/14603 H01L27/14641

    Abstract: 本发明提供固态图像捕获装置以及电子信息装置。提供一种具有二像素共享结构的固态图像捕获装置。用于复位浮置扩散的电势到预定电势的复位部和用于根据浮置扩散的电压放大信号以读出信号的信号放大部分开的布置。复位部的有源区被配置为作为浮置扩散的有源区。从浮置扩散延伸到信号放大部的控制电极的布线被形成为,具有最短长度的直线布局的第一层金属布线。光接收部的中心与像素的中心一致,并且以规则的光学间隔布置像素的中心。

    固态图像捕捉元件和电子信息设备

    公开(公告)号:CN101840927A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010144014.2

    申请日:2010-03-17

    Inventor: 永井谦一

    CPC classification number: H01L27/14609 H01L27/14612 H01L27/14643

    Abstract: 根据本发明的一种固态图像捕捉元件,包括:一种导电性类型半导体衬底;相反导电性类型阱区,其在所述一种导电性类型半导体衬底上形成;光电二极管部,其在所述相反导电性类型阱区上形成,由用于完全电荷转移的具有连续不同杂质浓度的多个一种导电性类型区构成;一种导电性漏极区,其能够从所述光电二极管部读出信号电荷;以及转移栅极,其在所述一种导电性漏极区与所述光电二极管部之间的衬底上形成。

    固态图像捕捉元件和电子信息设备

    公开(公告)号:CN101677105A

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200910173487.2

    申请日:2009-09-18

    Inventor: 永井谦一

    CPC classification number: H01L27/14689 H01L27/14609 H01L27/1463

    Abstract: 本发明涉及固态图像捕捉元件和电子信息设备。根据本发明的固态图像捕捉元件包括:像素阵列部分,其中将阱层设置在半导体衬底或者半导体区域上,并且将用于对来自对象的图像光实施光电转换并且捕捉其图像的多个光电转换元件以二维阵列布置在阱层中,其中将高浓度阱层设置在阱层与半导体衬底或者半导体区域之间,该高浓度阱层与阱层的导电类型相同并且具有比阱层的杂质浓度更高的杂质浓度。

    固态图像捕捉元件和电子信息设备

    公开(公告)号:CN101840927B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201010144014.2

    申请日:2010-03-17

    Inventor: 永井谦一

    CPC classification number: H01L27/14609 H01L27/14612 H01L27/14643

    Abstract: 根据本发明的一种固态图像捕捉元件,包括:一种导电性类型半导体衬底;相反导电性类型阱区,其在所述一种导电性类型半导体衬底上形成;光电二极管部,其在所述相反导电性类型阱区上形成,由用于完全电荷转移的具有连续不同杂质浓度的多个一种导电性类型区构成;一种导电性漏极区,其能够从所述光电二极管部读出信号电荷;以及转移栅极,其在所述一种导电性漏极区与所述光电二极管部之间的衬底上形成。

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