公开(公告)号：CN101926007A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980102945.1

申请日：2009-01-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  河野昭彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种实现兼顾高导通电流和低截止电流的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件具备：玻璃基板1；半导体层4，其为岛状，具有第1区域4c、第2区域4a和第3区域4c；源极区域5a和漏极区域5b；源极电极6a；漏极电极6b；以及栅极电极2，其控制第1区域4c的导电性。第1区域4c的上表面位于比第2区域4a和第3区域4b中的第1区域4c侧的端部的上表面靠近玻璃基板1侧的位置，从第2区域4a和第3区域4b的端部的上表面到第1区域4c的上表面的、在半导体层4的厚度方向上的距离相互独立地为第1区域4b的厚度的1倍以上7倍以下。

公开(公告)号：CN101926007B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200980102945.1

申请日：2009-01-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  河野昭彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种实现兼顾高导通电流和低截止电流的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件具备：玻璃基板1；半导体层4，其为岛状，具有第1区域4c、第2区域4a和第3区域4c；源极区域5a和漏极区域5b；源极电极6a；漏极电极6b；以及栅极电极2，其控制第1区域4c的导电性。第1区域4c的上表面位于比第2区域4a和第3区域4b中的第1区域4c侧的端部的上表面靠近玻璃基板1侧的位置，从第2区域4a和第3区域4b的端部的上表面到第1区域4c的上表面的、在半导体层4的厚度方向上的距离相互独立地为第1区域4b的厚度的1倍以上7倍以下。

公开(公告)号：CN101933148B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200980102800.1

申请日：2009-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  守口正生 ,  河野昭彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 半导体元件101具备：基板1；活性层4，形成于基板1上，具有沟道区域4c和分别位于沟道区域4c两侧的第1区域4a和第2区域4b；第1接触层6a和第2接触层6b，分别与活性层4的第1区域4a及第2区域4b相接；第1电极7，通过第1接触层6a而与第1区域4a电连接；第2电极8，通过第2接触层6b而与第2区域4b电连接；以及栅极电极2，其各种栅极绝缘层3与活性层4相对设置，控制沟道区域4c的导电性。活性层4含有硅，在活性层4与第1接触层和第2接触层6a、6b之间还具备含氧的硅层5，含氧的硅层5以比活性层4和第1接触层及第2接触层6a、6b高的浓度含有氧。

公开(公告)号：CN101933148A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980102800.1

申请日：2009-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  守口正生 ,  河野昭彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 半导体元件101具备：基板1；活性层4，形成于基板1上，具有沟道区域4c和分别位于沟道区域4c两侧的第1区域4a和第2区域4b；第1接触层6a和第2接触层6b，分别与活性层4的第1区域4a及第2区域4b相接；第1电极7，通过第1接触层6a而与第1区域4a电连接；第2电极8，通过第2接触层6b而与第2区域4b电连接；以及栅极电极2，其各种栅极绝缘层3与活性层4相对设置，控制沟道区域4c的导电性。活性层4含有硅，在活性层4与第1接触层和第2接触层6a、6b之间还具备含氧的硅层5，含氧的硅层5以比活性层4和第1接触层及第2接触层6a、6b高的浓度含有氧。