公开(公告)号：CN106887489A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611167309.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泽村诚 ,  山本秀一郎 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。

公开(公告)号：CN106887489B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201611167309.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泽村诚 ,  山本秀一郎 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。

公开(公告)号：CN102047511A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980118976.6

申请日：2009-05-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泽村诚 ,  伊藤茂稔 ,  蛭川秀一

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/483 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02288 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其通过抑制生产率的下降，能够降低制造成本。该发光装置具备：发光元件(11)、密封发光元件(11)的帽(20)、被覆帽(20)的上面的光转换构造部(16)。帽(20)包含：具有用于取出从发光元件(11)射出的光的孔的基部(14)、和覆盖于孔的玻璃部(15)。玻璃部(15)设置于基部(14)的外侧，光转换构造部(16)设置于玻璃部(15)的外侧。