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公开(公告)号：CN1918701A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004977.X
申请日：2005-02-16
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 在薄膜晶体管(1)的制造方法中，将表面要形成栅极氧化膜(4)的被处理基板(2)浸渍到含有活性氧化种的氧化性溶液中，将被处理基板(2)上的多晶硅(51)直接氧化，由此形成栅极氧化膜(4)；通过进行这种氧化膜形成工序，使二氧化硅膜(41)在被处理基板(2)方向上生长，同时形成二氧化硅膜(42)。由此，能够保持多晶硅(51)与栅极氧化膜(4)的界面的洁净，能够均匀地形成绝缘耐受性等特性优异的高品质的栅极氧化膜(4)。因此，能够提供具备绝缘耐受性等性能优异的、在低温下可以形成的、高品质的氧化膜的薄膜晶体管(1)。
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公开(公告)号：CN100543361C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610128820.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系荧光发光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A-1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A-2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。
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公开(公告)号：CN101614340A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910161120.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V9/10 , C09K11/08 , H01L33/00 , F21Y101/02
Abstract: 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系发光荧光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A－1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A－2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。
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公开(公告)号：CN100479119C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580004977.X
申请日：2005-02-16
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 在薄膜晶体管(1)的制造方法中，将表面要形成栅极氧化膜(4)的被处理基板(2)浸渍到含有活性氧化种的氧化性溶液中，将被处理基板(2)上的多晶硅(51)直接氧化，由此形成栅极氧化膜(4)；通过进行这种氧化膜形成工序，使二氧化硅膜(41)在被处理基板(2)方向上生长，同时形成二氧化硅膜(42)。由此，能够保持多晶硅(51)与栅极氧化膜(4)的界面的洁净，能够均匀地形成绝缘耐受性等特性优异的高品质的栅极氧化膜(4)。因此，能够提供具备绝缘耐受性等性能优异的、在低温下可以形成的、高品质的氧化膜的薄膜晶体管(1)。
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公开(公告)号：CN1924427A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128820.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系荧光发光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A－1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A－2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。
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