公开(公告)号：CN109428264A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810962554.8

申请日：2018-08-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 亚力克斯 ,  约丁 ,  谷善彦 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。

公开(公告)号：CN111435782A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN202010023097.3

申请日：2020-01-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 亚力克斯 ,  约丁 ,  谷本佳美 ,  谷善彦 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。