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公开(公告)号：CN1145833C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN00133911.7
申请日：2000-11-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13334
Abstract: 一种内有形成在多个电极和多个等离子体沟槽交差而成的区域内的多个像元区，多个像元区中的每一个像元区里所包含的液晶层的排列状态随加在电极和等离子体沟槽间的电压而变化，以利用通过多个像元区的光进行显示的液晶显示器。在包含有与像元区的等离子体沟槽的延长方向相交差的边的端边区且电极和液晶层之间还形成有介电结构。有了该介电结构以后，加在端边区的液晶层上的电压就比加在像元区内端边区以外的区域的液晶层上的电压小。
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公开(公告)号：CN101062838A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100940.8
申请日：2007-04-28
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明提供抑制凹痕的成长对玻璃基板进行表面研磨，可以获得没有凹痕和高度差的具有平滑玻璃表面的玻璃基板的研磨玻璃基板的制造方法，在充满有含有40～90重量％硫酸和0.4～4重量％氢氟酸的表面研磨液6的表面平滑化槽1中浸渍装有玻璃基板20的盒21进行表面研磨，抑制凹痕的成长、形成平滑的玻璃表面，在第1水洗槽2中进行水洗，之后浸渍在装满有含2～30重量％氢氟酸的后研磨液的后研磨槽3中进行后研磨，直至达到规定的玻璃基板厚度，从而制造研磨玻璃基板。
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公开(公告)号：CN101062838B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200710100940.8
申请日：2007-04-28
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明提供抑制凹痕的成长对玻璃基板进行表面研磨，可以获得没有凹痕和高度差的具有平滑玻璃表面的玻璃基板的研磨玻璃基板的制造方法，在充满有含有40～90重量％硫酸和0.4～4重量％氢氟酸的表面研磨液6的表面平滑化槽1中浸渍装有玻璃基板20的盒21进行表面研磨，抑制凹痕的成长、形成平滑的玻璃表面，在第1水洗槽2中进行水洗，之后浸渍在装满有含2～30重量％氢氟酸的后研磨液的后研磨槽3中进行后研磨，直至达到规定的玻璃基板厚度，从而制造研磨玻璃基板。
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公开(公告)号：CN1297162A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00133911.7
申请日：2000-11-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13334
Abstract: 一种内有形成在多个电极和多个等离子体沟槽交差而成的区域内的多个像元区,多个像元区中的每一个像元区里所包含的液晶层的排列状态随加在电极和等离子体沟槽间的电压而变化,以利用通过多个像元区的光进行显示的液晶显示器。在包含有与像元区的等离子体沟槽的延长方向相交差的边的端边区且电极和液晶层之间还形成有介电结构。有了该介电结构以后,加在端边区的液晶层上的电压就比加在像元区内端边区以外的区域的液晶层上的电压小。
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