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公开(公告)号：CN112054031B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010494210.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。
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公开(公告)号：CN111722446B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010186575.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：(A)，在基板上形成遮光层及下部导电层；(B)，以覆盖遮光层及下部导电层的方式形成下部绝缘层；(C)，在下部绝缘层上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；(D)，以覆盖栅极电极及氧化物半导体层的方式形成层间绝缘层；(E)，将源极接触孔及漏极接触孔形成于层间绝缘层，并且以使下部导电层的一部分露出的方式将连接部接触孔形成于层间绝缘层及下部绝缘层；以及(F)，在层间绝缘层上形成源极电极、漏极电极及上部电极层。工序(E)包含：工序(e‑1)，在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜；及工序(e‑2)，使用多灰度级掩模将光致抗蚀剂膜曝光，之后进行显影，从而形成光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN114639687A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111519776.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备包含多个第1TFT的多个氧化物半导体TFT，各氧化物半导体TFT的氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域以及漏极接触区域，沟道区域具有相互相对的第1端部和第2端部、位于这两个端部的源极接触区域侧的源极侧端部、以及位于这两个端部的漏极接触区域侧的漏极侧端部，各第1TFT还具有位于氧化物半导体层与基板之间的遮光层，遮光层包含开口区域和遮光区域，当从基板的法线方向观察时，遮光区域包含位于第1端部的第1遮光部和位于第2端部的第2遮光部，第1遮光部和第2遮光部分别具有相互相对的第1缘部和第2缘部，第1缘部的至少一部分与沟道区域重叠，第2缘部位于沟道区域的外侧，不与沟道区域重叠。
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公开(公告)号：CN113903752A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110743785.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1368
Abstract: 提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域的至少一部分具有包含具有相对高的迁移率的高迁移率氧化物半导体膜和配置在高迁移率氧化物半导体膜之上且迁移率比高迁移率氧化物半导体膜的迁移率低的低迁移率氧化物半导体膜的层叠结构，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域在整个范围内包含高迁移率氧化物半导体膜和低迁移率氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN111722446A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010186575.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：(A)，在基板上形成遮光层及下部导电层；(B)，以覆盖遮光层及下部导电层的方式形成下部绝缘层；(C)，在下部绝缘层上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；(D)，以覆盖栅极电极及氧化物半导体层的方式形成层间绝缘层；(E)，将源极接触孔及漏极接触孔形成于层间绝缘层，并且以使下部导电层的一部分露出的方式将连接部接触孔形成于层间绝缘层及下部绝缘层；以及(F)，在层间绝缘层上形成源极电极、漏极电极及上部电极层。工序(E)包含：工序(e-1)，在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜；及工序(e-2)，使用多灰度级掩模将光致抗蚀剂膜曝光，之后进行显影，从而形成光致抗蚀剂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113257835A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110096761.1
申请日：2021-01-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部，各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极，其形成在基板与下部绝缘层之间，与源极总线由相同的导电膜形成，各源极接触部具有：源极接触孔，其形成于下部绝缘层和层间绝缘层，并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出；以及连接电极，其配置在层间绝缘层上和源极接触孔内，在源极接触孔内连接到第1区域的一部分和源极电极的一部分。
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公开(公告)号：CN112054031A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010494210.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。
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公开(公告)号：CN113257835B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202110096761.1
申请日：2021-01-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部，各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极，其形成在基板与下部绝缘层之间，与源极总线由相同的导电膜形成，各源极接触部具有：源极接触孔，其形成于下部绝缘层和层间绝缘层，并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出；以及连接电极，其配置在层间绝缘层上和源极接触孔内，在源极接触孔内连接到第1区域的一部分和源极电极的一部分。
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公开(公告)号：CN111580315B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202010092392.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。
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公开(公告)号：CN114678378A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111578917.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种有源矩阵基板，具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT。有源矩阵基板具备第1TFT和第2TFT，各TFT的氧化物半导体层包含高电阻区域和低电阻区域，高电阻区域包含在从基板的法线方向观看时与栅极电极重叠的沟道区域以及与栅极绝缘层重叠而与栅极电极不重叠的偏移区域，低电阻区域包含源极接触区域、漏极接触区域以及介于这些接触区域与高电阻区域之间的介设区域，第1TFT的栅极绝缘层包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜，第2TFT的栅极绝缘层包含第2绝缘膜而不包含第1绝缘膜，第1TFT的偏移区域的沟道长度方向的合计长度L1大于第2TFT的偏移区域的沟道长度方向的合计长度L2。
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