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公开(公告)号：CN111755507B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010213981.3
申请日：2020-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。
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公开(公告)号：CN109585455B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201811115059.X
申请日：2018-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置中的至少1个薄膜晶体管(101)包括半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)和漏极电极(9)，半导体层具有层叠结构，上述层叠结构包括：多个沟道形成层，其包括第1沟道形成层(70A)和第2沟道形成层(70B)；以及至少1个中间层，其包括配置于第1沟道形成层和第2沟道形成层之间的第1中间层(71a)，第1沟道形成层(70A)配置于比第2沟道形成层(70B)靠栅极绝缘层侧的位置且与栅极绝缘层(5)接触，多个沟道形成层和至少1个中间层均是氧化物半导体层，多个沟道形成层分别具有比至少1个中间层高的迁移率。
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公开(公告)号：CN110521003B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880021738.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H10K59/00 , H01L29/423 , H01L29/49 , H10K50/00
Abstract: 有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。
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公开(公告)号：CN111722446B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010186575.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：(A)，在基板上形成遮光层及下部导电层；(B)，以覆盖遮光层及下部导电层的方式形成下部绝缘层；(C)，在下部绝缘层上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；(D)，以覆盖栅极电极及氧化物半导体层的方式形成层间绝缘层；(E)，将源极接触孔及漏极接触孔形成于层间绝缘层，并且以使下部导电层的一部分露出的方式将连接部接触孔形成于层间绝缘层及下部绝缘层；以及(F)，在层间绝缘层上形成源极电极、漏极电极及上部电极层。工序(E)包含：工序(e‑1)，在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜；及工序(e‑2)，使用多灰度级掩模将光致抗蚀剂膜曝光，之后进行显影，从而形成光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN114639687A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111519776.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备包含多个第1TFT的多个氧化物半导体TFT，各氧化物半导体TFT的氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域以及漏极接触区域，沟道区域具有相互相对的第1端部和第2端部、位于这两个端部的源极接触区域侧的源极侧端部、以及位于这两个端部的漏极接触区域侧的漏极侧端部，各第1TFT还具有位于氧化物半导体层与基板之间的遮光层，遮光层包含开口区域和遮光区域，当从基板的法线方向观察时，遮光区域包含位于第1端部的第1遮光部和位于第2端部的第2遮光部，第1遮光部和第2遮光部分别具有相互相对的第1缘部和第2缘部，第1缘部的至少一部分与沟道区域重叠，第2缘部位于沟道区域的外侧，不与沟道区域重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113903752A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110743785.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1368
Abstract: 提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域的至少一部分具有包含具有相对高的迁移率的高迁移率氧化物半导体膜和配置在高迁移率氧化物半导体膜之上且迁移率比高迁移率氧化物半导体膜的迁移率低的低迁移率氧化物半导体膜的层叠结构，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域在整个范围内包含高迁移率氧化物半导体膜和低迁移率氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN111722446A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010186575.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：(A)，在基板上形成遮光层及下部导电层；(B)，以覆盖遮光层及下部导电层的方式形成下部绝缘层；(C)，在下部绝缘层上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；(D)，以覆盖栅极电极及氧化物半导体层的方式形成层间绝缘层；(E)，将源极接触孔及漏极接触孔形成于层间绝缘层，并且以使下部导电层的一部分露出的方式将连接部接触孔形成于层间绝缘层及下部绝缘层；以及(F)，在层间绝缘层上形成源极电极、漏极电极及上部电极层。工序(E)包含：工序(e-1)，在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜；及工序(e-2)，使用多灰度级掩模将光致抗蚀剂膜曝光，之后进行显影，从而形成光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN109585455A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811115059.X
申请日：2018-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置中的至少1个薄膜晶体管(101)包括半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)和漏极电极(9)，半导体层具有层叠结构，上述层叠结构包括：多个沟道形成层，其包括第1沟道形成层(70A)和第2沟道形成层(70B)；以及至少1个中间层，其包括配置于第1沟道形成层和第2沟道形成层之间的第1中间层(71a)，第1沟道形成层(70A)配置于比第2沟道形成层(70B)靠栅极绝缘层侧的位置且与栅极绝缘层(5)接触，多个沟道形成层和至少1个中间层均是氧化物半导体层，多个沟道形成层分别具有比至少1个中间层高的迁移率。
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公开(公告)号：CN112054031B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010494210.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。
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公开(公告)号：CN110246900B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910168669.4
申请日：2019-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管，薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构，下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下，下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5％以上，上部氧化物半导体层不包含Sn，或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比，下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。
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