公开(公告)号：CN101647049B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200880010450.1

申请日：2008-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  前田和宏 ,  C·布朗

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明涉及显示装置，提供在像素内具有光传感器的附带图像获取功能的显示装置，尤其是能够减少对图像显示没有作用的周边区域的面积实现窄边框化，并且能够降低在驱动电路中的消耗电力的显示装置。所述显示装置具备有源矩阵基板(100)，该有源矩阵基板具有多个栅极配线(7)、多个源极配线(9)、和对应于多个栅极配线与多个源极配线的各交点而设置的显示用开关元件，所述显示装置具备：在有源矩阵基板(100)的像素区域(1)设置的光传感器(10)；和与光传感器对应设置的多个传感器行配线(8)，利用与显示用开关元件的驱动共用的列驱动电路，通过多个源极配线(9)进行对光传感器的电压的供给和来自光传感器(10)的亮度信号的读取。

公开(公告)号：CN102511025A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201080040388.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中耕平 ,  杉田靖博 ,  山本薰 ,  C·布朗

IPC: G06F3/042 ,  G06F3/041 ,  G09F9/30

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G09G3/34 ,  G09G3/3406 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0237 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/145

Abstract: 在像素区域(4)配置多个传感器像素电路(10)，传感器像素电路(10)包含：2个光电二极管(D1、D2)；1个存储节点，其存储与光量相应的电荷；以及读出晶体管(M1)，其具有连接到存储节点的控制端子。按照时钟信号(CLK)，在背光源点亮时，晶体管(T1)导通，电流流过光电二极管(D1)，存储节点的电位下降。在背光源熄灭时，晶体管(T2)导通，电流流过光电二极管(D2)，存储节点的电位上升。可以使用时钟信号(CLK)使2个光电二极管的灵敏度特性变化。使用这样的传感器像素电路探测在背光源点亮时入射的光量和在背光源熄灭时入射的光量之差。由此，提供具有不依赖于光环境的输入功能的显示装置。

公开(公告)号：CN101523277B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780038124.7

申请日：2007-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  小川裕之 ,  C·布朗 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2202/10 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其能够抑制光电二极管中暗电流的发生。因此，在具有有源矩阵基板的液晶显示面板(1)和对液晶显示面板照明的背光源(13)的液晶显示装置中，在有源矩阵基板(1)具备，利用设置在基底基板(5)的硅膜形成的光电二极管(7)和对光电二极管(7)遮蔽来自背光源(13)的照明光(29)的遮光膜(8)。遮光膜(8)由半导体或者绝缘体形成。优选光电二极管(7)例如由多晶硅或连续晶界结晶硅形成，使其具有入射光的波长越短灵敏度越高的特性。遮光膜(8)由入射光的波长越短入射光的透过率越低的硅膜，例如非晶硅形成。

公开(公告)号：CN102113216A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130261.2

申请日：2009-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  小川康行

IPC: H03K17/687 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2310/027 ,  Y10T307/74

Abstract: 本发明提供电容负载驱动电路和具备该电容负载驱动电路的显示装置。缓冲电路(1)根据电压Vin驱动电容负载(9)。在设定期间开关(11、13～15)成为接通状态，在驱动期间开关(12)成为接通状态。电压比较部(2)将设定期间的电压Vin和驱动期间的电压Vout进行比较，输出比较结果电压。推挽输出部(4)包括充电用的TFT(25)和放电用的TFT(26)。驱动控制部(3)在设定期间将TFT(25、26)控制为断开状态，在驱动期间根据比较结果电压将TFT(25、26)有选择地控制为接通状态。在Vout＜Vin时，比较结果电压上升，TFT(24)成为接通状态，节点(N6)的电压下降，TFT(25)成为接通状态，电压Vout上升。由此，提供一种小型、低耗电且耐工艺偏差的能力强的电容负载驱动电路。

公开(公告)号：CN101680803B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200880019640.X

申请日：2008-08-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  C·布朗

IPC: G01J1/44 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 ,  H01L31/10

CPC classification number: G01J1/46 ,  G01J1/1626 ,  G01J1/32 ,  G01J1/4204 ,  G01J1/4228 ,  G02F1/13318 ,  G02F2001/13312 ,  H01L27/14609

Abstract: 本发明提供光传感器和包括该光传感器的显示装置。本发明的光传感器是至少一部分整体地形成在显示装置的有源矩阵基板中的光传感器。为了将杂散光和光检测元件的特性偏差的影响排除而精度良好地检测周围光，该光传感器包括检测用光电二极管(11)和由遮光膜(15)覆盖的参考用光电二极管(12)。该光传感器还包括：差动放大器(16)，该差动放大器(16)的一个输入端子与检测用光电二极管(11)的阴极连接，另一个输入端子与参考用光电二极管(12)的阴极连接；积分电容器(19)；和复位开关(22)。该光传感器还包括比较器(21)和低通滤波器(20)，以使参考用光电二极管(12)和检测用光电二极管(11)的阳极的电位等于比参考用光电二极管(12)的阴极电位高开路电压(VOC)的电位。

公开(公告)号：CN101669216B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880013944.5

申请日：2008-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  加藤浩巳

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/135

CPC classification number: H01L31/02165 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及光检测装置和具有其的显示装置。提供一种能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具有其的显示装置。使用具有包括光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置的有源矩阵基板(20)的显示装置。光检测装置包括设置在基底基板(2)上的遮光膜(3)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)。遮光膜(3)形成为在基底基板(2)的厚度方向上与光电二极管(1)重叠。光电二极管(1)具备与遮光膜(3)电绝缘的硅膜(11)。硅膜(11)以沿着面方向邻接的方式设置有p层(11c)、i层(11b)和n层(11a)。p层(11c)的面积(长度Lp)形成为比n层(11a)的面积(长度Ln)大。

公开(公告)号：CN101933165A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103935.X

申请日：2009-01-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中耕平 ,  C·布朗

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L31/105 ,  G01J1/1626 ,  G01J1/46

Abstract: 构成本发明的二极管的偶数个光电二极管(1、2)具备各区域(1a～1c和2a～2c)，各区域(1a～1c和2a～2c)沿上述特定方向的尺寸与基准二极管(5)相同，沟道宽度相对于基准二极管(5)的沟道宽度W为1/2。另外，沿与基准二极管(5)的沟道长度L平行的特定方向平行地布局各区域(1a～1c和2a～2c)，相互的位置关系整体成为线对称或者点对称。进而，光电二极管(1、2)相互电并联连接，由此起到与上述基准二极管(5)同等的作用。由此，提供能够使得特性稳定，并且能够缩小二极管占基板的占有面积的二极管的结构。

公开(公告)号：CN101669217A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013954.9

申请日：2008-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  加藤浩巳

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02F1/13318 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2201/58 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具备它的显示装置。使用具有有源矩阵基板(20)的显示装置，该有源矩阵基板(20)具有：光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置。光检测装置具有设置在基底基板(2)的一个主面上的遮光膜(3)、配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)周边的电极(12)。光电二极管(1)具有硅膜(11)，硅膜(11)相对于遮光膜(3)电绝缘。电极(12)相对于遮光膜(3)和硅膜(11)电绝缘。遮光膜(3)被形成为，在基底基板(2)的厚度方向上，其一部分与整个硅膜(11)重叠，这一部分以外的部分与电极(12)重叠。

公开(公告)号：CN101669216A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013944.5

申请日：2008-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  加藤浩巳

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/135

CPC classification number: H01L31/02165 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及光检测装置和具有其的显示装置。提供一种能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具有其的显示装置。使用具有包括光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置的有源矩阵基板(20)的显示装置。光检测装置包括设置在基底基板(2)上的遮光膜(3)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)。遮光膜(3)形成为在基底基板(2)的厚度方向上与光电二极管(1)重叠。光电二极管(1)具备与遮光膜(3)电绝缘的硅膜(11)。硅膜(11)以沿着面方向邻接的方式设置有p层(11c)、i层(11b)和n层(11a)。p层(11c)的面积(长度L p )形成为比n层(11a)的面积(长度L n )大。

公开(公告)号：CN101636643A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008764.8

申请日：2008-04-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  前田和宏 ,  C·布朗

IPC: G01J1/44 ,  G02F1/133 ,  G06F3/041 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G06F3/0418 ,  G01J1/46 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312 ,  G09G3/3648 ,  G09G2360/147

Abstract: 本发明提供一种在像素内具有光检测元件，在显示装置的工作中能够自动校正光传感器信号的显示装置。传感器行驱动器(5)具有：通过向像素区域(1)的光传感器供给第一模式的传感器驱动信号，向信号处理电路(8)输出与光传感器的受光量相应的光传感器信号的第一工作模式；通过供给第二模式的传感器驱动信号，取得与光传感器检测出黑电平的情况相当的校正用的第一光传感器信号电平的第二工作模式；和通过供给第三模式的传感器驱动信号，取得与光传感器检测出白电平的情况相当的校正用的第二光传感器信号电平的第三工作模式。信号处理电路(8)，使用所述第一和第二光传感器信号电平，对第一工作模式时的光传感器信号进行校正。