公开(公告)号：CN101600985A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200880003764.9

申请日：2008-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤昌和 ,  加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/133 ,  G01J1/42 ,  G02F1/135 ,  G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  G09G3/20 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  H01L31/10

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J1/1626 ,  G01J1/4204 ,  G01J1/4228 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133604 ,  G02F2201/58 ,  G09G3/3406 ,  G09G2360/144

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在液晶显示装置(1)中，设置有检测用元件(201)的区域和设置有参照用元件(202)的区域以沿着边框反复交替的方式分开配置。在各区域内，PIN光电二极管(413)……以规定数串联连接和并联连接，在各个检测用元件(201)的整个区域和参照用元件(202)的整个区域，采用n个串联连接和规定数的并联连接的结构。由此，即使构成光电转换元件的光电转换元件单元的显示面板上的特性偏差增大，也可以正确检测周围光的强度。

公开(公告)号：CN101589477A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002940.7

申请日：2008-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： B·J·哈德文 ,  C·J·布朗 ,  M·P·库尔森 ,  P·希彼德

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/1335

CPC classification number: H01L31/153 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/44 ,  G01J1/46 ,  G01J2001/444 ,  G01J2001/446 ,  G02F1/13318 ,  G02F2001/133626 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供一种补偿具有检测光电传感器(7)和参考光电传感器(20)的光传感器中的散射光的方法，参考光电传感器(7)用于补偿投射在检测光电传感器(20)上的散射光。该方法包括至少部分地利用参考光电传感器(20)来确定施加到检测光电传感器(7)上的偏置电压。基于该方法，提供一种包括背光源和用于确定环境光等级的光传感器的显示装置，其中利用用于根据确定的环境光等级来控制背光源强度的装置，基本消除来自背光源的散射光的影响。

公开(公告)号：CN101681955B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200880020103.7

申请日：2008-07-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/133 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  H01L27/12 ,  H01L31/1055

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的有源矩阵基板和使用这种有源矩阵基板的显示装置。使用具备n-TFT(20)和p-TFT(30)和光电二极管(10)的有源矩阵基板(1)。光电二极管(10)具备p层(7)、i层(8)、n层(9)。i层(8)在与p层(7)相邻的位置，具备p型杂质的扩散浓度以与n-TFT(20)的沟道区域(23)的p型杂质的扩散浓度相等的方式设定的p型半导体区域(8a)，在与n层(9)相邻的位置，具备n型杂质的扩散浓度以与p-TFT(30)的沟道区域(33)的n型杂质的扩散浓度相等的方式设定的n型半导体区域(8b)。

公开(公告)号：CN101600985B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200880003764.9

申请日：2008-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤昌和 ,  加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/133 ,  G01J1/42 ,  G02F1/135 ,  G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  G09G3/20 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  H01L31/10

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J1/1626 ,  G01J1/4204 ,  G01J1/4228 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133604 ,  G02F2201/58 ,  G09G3/3406 ,  G09G2360/144

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在液晶显示装置(1)中，设置有检测用元件(201)的区域和设置有参照用元件(202)的区域以沿着边框反复交替的方式分开配置。在各区域内，PIN光电二极管(413)……以规定数串联连接和并联连接，在各个检测用元件(201)的整个区域和参照用元件(202)的整个区域，采用n个串联连接和规定数的并联连接的结构。由此，即使构成光电转换元件的光电转换元件单元的显示面板上的特性偏差增大，也可以正确检测周围光的强度。

公开(公告)号：CN101523277B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780038124.7

申请日：2007-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  小川裕之 ,  C·布朗 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2202/10 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其能够抑制光电二极管中暗电流的发生。因此，在具有有源矩阵基板的液晶显示面板(1)和对液晶显示面板照明的背光源(13)的液晶显示装置中，在有源矩阵基板(1)具备，利用设置在基底基板(5)的硅膜形成的光电二极管(7)和对光电二极管(7)遮蔽来自背光源(13)的照明光(29)的遮光膜(8)。遮光膜(8)由半导体或者绝缘体形成。优选光电二极管(7)例如由多晶硅或连续晶界结晶硅形成，使其具有入射光的波长越短灵敏度越高的特性。遮光膜(8)由入射光的波长越短入射光的透过率越低的硅膜，例如非晶硅形成。

公开(公告)号：CN101611499B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880004656.3

申请日：2008-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤昌和 ,  加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L31/02164 ,  G01J1/4204 ,  G01J2001/0276 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明提供一种显示装置。对从玻璃基板(314)侧到达PIN光电二极管(413)的光进行遮光的光屏蔽部(204)由导电体形成，从电源电路(266)向光屏蔽部(204)施加与PIN光电二极管(413)的阴极相同的基准电位(Vr-nVoc)。由此，实现能够进一步减少到周围光传感器所使用的光电转换元件的感应噪声的显示装置。

公开(公告)号：CN101523277A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038124.7

申请日：2007-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  小川裕之 ,  C·布朗 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2202/10 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其能够抑制光电二极管中暗电流的发生。因此，在具有有源矩阵基板的液晶显示面板(1)和对液晶显示面板照明的背光源(13)的液晶显示装置中，在有源矩阵基板(1)具备，利用设置在基底基板(5)的硅膜形成的光电二极管(7)和对光电二极管(7)遮蔽来自背光源(13)的照明光(29)的遮光膜(8)。遮光膜(8)由半导体或者绝缘体形成。优选光电二极管(7)例如由多晶硅或连续晶界结晶硅形成，使其具有入射光的波长越短灵敏度越高的特性。遮光膜(8)由入射光的波长越短入射光的透过率越低的硅膜，例如非晶硅形成。

公开(公告)号：CN101611340B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200880005060.5

申请日：2008-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤昌和 ,  加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02F1/13318 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133334 ,  G02F2001/136218 ,  G09G3/3406 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2360/144 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示装置。其相对于配线在玻璃基板(314)侧形成作为静电屏蔽部的第一屏蔽电极(516)，从电源电路(266)对第一屏蔽电极(516)供给与PIN光电二极管(413)的负极相同的基准电位(Vr-nVoc)。由此，能够降低对传达周围光传感器所使用的光电变换元件的输出的配线的感应噪声。

公开(公告)号：CN101681955A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020103.7

申请日：2008-07-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/133 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  H01L27/12 ,  H01L31/1055

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的有源矩阵基板和使用这种有源矩阵基板的显示装置。使用具备n-TFT(20)和p-TFT(30)和光电二极管(10)的有源矩阵基板(1)。光电二极管(10)具备p层(7)、i层(8)、n层(9)。i层(8)在与p层(7)相邻的位置，具备p型杂质的扩散浓度以与n-TFT(20)的沟道区域(23)的p型杂质的扩散浓度相等的方式设定的p型半导体区域(8a)，在与n层(9)相邻的位置，具备n型杂质的扩散浓度以与p-TFT(30)的沟道区域(33)的n型杂质的扩散浓度相等的方式设定的n型半导体区域(8b)。

公开(公告)号：CN101657902B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880011718.3

申请日：2008-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  佐藤昌和 ,  B·J·哈德文

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1446 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2201/58 ,  H01L27/3269 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/153 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及光传感器和显示装置，本发明提供能够抑制由暗电流引起的噪声的产生并能够实现小型化的光传感器和具备它的显示装置。使用具备形成于同一硅膜(8)的多个光电二极管(9～11)的光传感器。光电二极管(9～11)各自具有形成于硅膜(8)的p型半导体区域(9a、10a、11a)和n型半导体区域(9c、10c、11c)。进一步，光电二极管(9～11)以各自的正向相互一致的方式串联配置。在相邻的两个光电二极管中，一方的n型半导体区域和另一方的p型半导体区域以在硅膜的厚度方向上相互重合的方式形成。