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公开(公告)号：CN102738376B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210119992.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。在基板的同一面侧形成有n侧及p侧电极焊盘的氮化物半导体发光元件中，形成从p侧电极焊盘(及n侧电极焊盘)以枝状延伸的延长部，由此得到改善发光元件中的电流分布的电极结构的氮化物半导体发光元件，其中，在n侧及p侧的薄层电阻两者都充分低的情况下，通过在一定条件下提高在p型氮化物半导体层上形成的由透光性导电膜构成的电流扩散层的薄层电阻，降低了p型氮化物半导体层和电流扩散层的接触电阻，而且薄层电阻在面内的分布变得更加均匀，从而光输出得以提高。
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公开(公告)号：CN102738376A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210119992.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。在基板的同一面侧形成有n侧及p侧电极焊盘的氮化物半导体发光元件中，形成从p侧电极焊盘(及n侧电极焊盘)以枝状延伸的延长部，由此得到改善发光元件中的电流分布的电极结构的氮化物半导体发光元件，其中，在n侧及p侧的薄层电阻两者都充分低的情况下，通过在一定条件下提高在p型氮化物半导体层上形成的由透光性导电膜构成的电流扩散层的薄层电阻，降低了p型氮化物半导体层和电流扩散层的接触电阻，而且薄层电阻在面内的分布变得更加均匀，从而光输出得以提高。
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