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公开(公告)号：CN104423109A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410415812.2
申请日：2014-08-21
IPC: G02F1/1347 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133788 , G02F1/133723 , G03F7/0387 , G02F1/13378
Abstract: 本发明提供一种具有光取向膜，能够充分地提高显示品质的液晶显示装置及其制造方法。本发明的特征在于，光取向膜由液晶取向材料形成，使液晶分子在与至少一个基板的主面平行的方向上取向，液晶取向材料包含由二胺与四羧酸二酐反应而得到的2种以上的聚酰胺酸或其衍生物、和溶剂，二胺中的至少两种和四羧酸二酐的至少一种为规定化学式所示的化合物，液晶显示装置的制造方法依次包括：形成由液晶取向材料形成的膜的工序(1)；进行临时烧制的工序(2)；进行光照射的工序(3)；和进行正式烧制的工序(4)，工序(4)包括对由液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作。
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公开(公告)号：CN104423109B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410415812.2
申请日：2014-08-21
IPC: G02F1/1347 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133788 , G02F1/133723 , G03F7/0387
Abstract: 本发明提供一种具有光取向膜，能够充分地提高显示品质的液晶显示装置及其制造方法。本发明的特征在于，光取向膜由液晶取向材料形成，使液晶分子在与至少一个基板的主面平行的方向上取向，液晶取向材料包含由二胺与四羧酸二酐反应而得到的2种以上的聚酰胺酸或其衍生物、和溶剂，二胺中的至少两种和四羧酸二酐的至少一种为规定化学式所示的化合物，液晶显示装置的制造方法依次包括：形成由液晶取向材料形成的膜的工序(1)；进行临时烧制的工序(2)；进行光照射的工序(3)；和进行正式烧制的工序(4)，工序(4)包括对由液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作。
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公开(公告)号：CN106662767A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580041364.7
申请日：2015-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/133 , C08G73/10 , G02F1/13 , G02F1/1337 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制闪烁的同时降低消耗电力的液晶显示装置。本发明为一种横向电场方式的液晶显示装置，上述液晶显示装置具备：一对基板；设置在上述一对基板中的至少一个基板上的光取向膜；设置在上述一对基板之间的水平取向型的液晶层；和排列成矩阵状的多个像素，上述液晶层含有：具有双环己烷骨架的液晶分子；和具有二氟苯骨架的液晶分子，上述液晶层的介电常数各向异性为负，上述一对基板中的一个基板包括与上述多个像素对应地设置的多个TFT元件，上述多个TFT元件中的各个TFT元件具有包含氧化物半导体的半导体层，上述液晶显示装置的帧频小于50Hz。
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公开(公告)号：CN106662767B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201580041364.7
申请日：2015-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/133 , C08G73/10 , G02F1/13 , G02F1/1337 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制闪烁的同时降低消耗电力的液晶显示装置。本发明为一种横向电场方式的液晶显示装置，上述液晶显示装置具备：一对基板；设置在上述一对基板中的至少一个基板上的光取向膜；设置在上述一对基板之间的水平取向型的液晶层；和排列成矩阵状的多个像素，上述液晶层含有：具有双环己烷骨架的液晶分子；和具有二氟苯骨架的液晶分子，上述液晶层的介电常数各向异性为负，上述一对基板中的一个基板包括与上述多个像素对应地设置的多个TFT元件，上述多个TFT元件中的各个TFT元件具有包含氧化物半导体的半导体层，上述液晶显示装置的帧频小于50Hz。
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