一种应用于CMOS图像传感器的两步式单斜模数转换器

    公开(公告)号:CN114567738B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202210226033.2

    申请日:2022-03-08

    Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域,提供一种应用于CMOS图像传感器的两步式单斜模数转换器,包括:存储模块、模数转换器模块和全局模块;所述模数转换器模块,包括:比较器、计数器、静态存储器和锁存器;所述全局模块,包括:斜坡产生模块和偏置产生模块;所述存储模块,包括:第二电容CS、第三电容CR、第一存储模块开关SS、第二存储模块开关RS、第三存储模块开关SR和第四存储模块开关RR。本发明能够提高单斜模数转换器的转换速度,以实现高帧频的图像传感器。

    高动态图像传感器像素结构及时序控制方法

    公开(公告)号:CN111866414B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202010679695.6

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法,属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件,反向偏置,阳极为p型接地,阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连,并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连,复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连,用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连,用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连,阳极接在电压VC上。

    一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器

    公开(公告)号:CN113162613B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202110581803.0

    申请日:2021-05-24

    Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域,提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器,包括:斜坡发生器和控制信号生成电路;所述控制信号生成电路,用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较,生成包含有相位差信息的控制信号,用于斜坡发生器的充放电控制;所述斜坡发生器,包括:基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的,连续的相位误差比较,降低相位误差比较器的量化噪声,实现低噪声锁相环。

    一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构

    公开(公告)号:CN112420759B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202011243957.0

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域,提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构,包括:彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS;所述黑白信号收集单元,包括:第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1;所述彩色信号收集单元,包括:第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。

    一种具有轨到轨输入范围的逐次逼近型模数转换器及其模数转换方法

    公开(公告)号:CN116112020A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310146645.5

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域,提供一种具有轨到轨输入范围的逐次逼近型模数转换器及其模数转换方法,包括:模数转换缓冲器部分和模数转换器核心部分。所述模数转换缓冲器部分,包括:前端比较器模块、交换开关模块、NMOS输入运放模块和PMOS输入运放模块。所述模数转换器核心部分包括栅压自举采样开关模块、电容DAC模块、主比较器模块和逐次逼近逻辑控制模块。本发明能在单电压域下实现轨到轨输入范围,降低模数转换器整体功耗。

    基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器

    公开(公告)号:CN114640808A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210221520.X

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器,属于半导体光电方向图像传感器领域。通过控制像素工作过程中的时序信号和调整工艺制造结构的方式控制像素电路中复位晶体管的工作方式,使得复位晶体管在像素工作过程中的复位阶段起到复位作用,在像素积分阶段复位晶体管形成二极管连接起到电荷补偿作用。本发明的复位晶体管复用技术使得像素电路在弱光下保持低噪声和线性关系,在强光下由光电二极管流到FD点的光生电荷形成的电流与复位晶体管形成的二极管中的导通电流将达到动态平衡,此时FD点电荷将不再随积分时间变化,而只和光强成对数关系。使用该像素结构的图像传感器,积分过程中复位晶体管能够构成电荷补偿通路,极大的拓展动态范围。

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