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公开(公告)号：CN115913226A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211599463.5
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种低功耗多参考电压的分段电容阵列及切换方法，属于集成电路技术领域。本发明采用多参考电压及增加补偿电容的方式构建分段电容阵列，可以在保证二进制权重的前提下允许桥接电容值为整数倍的单位电容，降低了失配，提高了SAR ADC的线性度；同时多参考电压的引入降低了子电容阵列的切换电压，进而降低了分段电容阵列的动态功耗。本发明采用差分的逻辑量化单端输入信号，可以提高信号抗共模干扰的能力，提高SAR ADC的转换精度；同时这种差分逻辑在量化每一位数字码的过程中只切换一侧的Sub电容阵列，降低了电容阵列的动态功耗。
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公开(公告)号：CN113552793B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110841898.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明提供一种自校准的高精度数字时间转换电路。本发明包括：数字模拟转换器DAC、电容阵列、由多个开关组成的开关阵列及反相器；数字模拟转换器DAC连接电容阵列；电容阵列与反相器相连；反相器连接输出端；数字模拟转换器DAC、电容阵列、反相器及接地端分别设有开关；电容阵列，包括固定容值电容cap和可变容值电容cap＿vary；数字模拟转换器DAC根据输入的代表时间延迟的数字控制字对电容阵列进行充电，并将基准电流源的电流变化反馈给可变电容cap＿vary，从而对电容阵列的电容值进行补偿校准；反相器根据补偿校准后的电容阵列的电容值输出时钟信号。解决了现有技术中，基准电流受温度、工艺、电压变化的影响，导致输出时钟信号发生越位偏移的技术问题。
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公开(公告)号：CN108426840A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810488598.1
申请日：2018-05-21
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明涉及湿度测量装置，具体涉及一种埋入式、测量精度高、抗干扰能力强的实时测量混凝土内部湿度的传感器，包括传感器外套筒，传感器外套筒的圆周设置有通孔，传感器外套筒内有不锈钢烧结滤筒，顶部设有防水密封盖，传感器外套筒的内底部设置有环氧树脂层，环氧树脂层内设有传感器光纤，传感器光纤的末端浸没在环氧树脂层中，传感器光纤的顶端穿过防水密封盖延伸到传感器外套筒的外部，穿出孔与传感器光纤的间隙处涂覆有环氧树脂，传感器外套筒内的传感器光纤上涂覆有湿敏材料涂覆层，湿敏材料涂覆层为聚乙烯醇，传感器光纤的末端涂覆有金属反射层，利用倾斜光栅对周围环境折射率极其敏感的特性实现对混凝土湿度的实时监测和高精度测量。
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公开(公告)号：CN104894520A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510226430.X
申请日：2015-05-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法，所述金属镁基UVC波段透明导电结构包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法包括以下步骤：选取衬底，清洗衬底；选择高纯镁为靶材，通过磁控溅射方法沉积Mg基化合物层和金属Mg层，得到Mg基化合物/Mg/Mg基化合物多层结构。本发明所述金属镁基UVC波段透明导电结构在UVC波段具有优良的透明导电性，其制备方法步骤科学、易行，有效的解决了目前UVC波段透明导电材料制备难题。
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公开(公告)号：CN103561136A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310486919.1
申请日：2013-10-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及生活用品领域，公开了一种带有紫外LED的手机，包括：内置控制软件的通用手机、紫外LED、驱动装置；所述紫外LED集成在通用手机上；所述驱动装置设置在手机电路中，且驱动装置的一端与手机电路电连接，另一端与紫外LED电连接。本发明通过结构、电路和软件的设计将紫外LED集成在通用手机上，通过驱动装置达到紫外LED工作所需要的电伏，并可依据所集成的不同波段的紫外LED灯，实现便携式手机的消毒、验钞、医疗等功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117391147A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311455415.3
申请日：2023-11-03
Applicant: 河北工业大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 大连理工大学
IPC: G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出了一种基于异步梯度下降分布式并行策略的小样本生成扩散模型多目标神经架构搜索方法。本发明将扩散模型的多目标神经架构搜索与分布式并行演化计算相融合，设计了强化差异特征的数据增广方法，快速增加少数类样本数量，改善训练数据集不平衡问题；结合注意力机制、交叉注意力机制、位置编码，实现扩散模型特征提取能力、泛化能力的增强；提出了特征增强小样本生成扩散模型的多目标优化方法，优化扩散模型生成样本质量、多样性和计算复杂度；提出了异步梯度下降分布式并行策略，提升网络的训练效率。
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公开(公告)号：CN115996216A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211599358.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04L65/65 , H04L65/80 , H04N21/6437
Abstract: 本发明属于网络通信技术领域，涉及一种基于FPGA的实时传输协议栈及其硬件实现方法，可用于实时将视频数据上传到网络上。以纯硬件的方式实现了一种实时传输协议栈的开发，同时协议栈采用纯硬件编程，协议栈内每个模块或每个执行步骤的时钟都可做到精确控制，确保数据实时传输时协议栈能做到低延时，高精度和高可靠性；采用近似于FIFO的工作方式来更新缓存表，能够有效节约时钟和定时器资源，并且当作用于以数据发送为主要任务实时传输协议栈中可以有效缩短查表时间，降低传输延时；采用设置优先级的策略用于当负载多个RTP或RTCP数据发送模块时可能会产生的冲突问题，相比于传统的将数据缓存的方法，可以有效节约硬件资源。
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公开(公告)号：CN103035782B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310000893.5
申请日：2013-01-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅太阳能电池的钝化技术领域，公开了一种太阳能电池表面低温钝化方法，将氧气O2或水蒸汽H2O与氧气O2的混合物作为反应源，加入调节钝化层折射率的反应物，再加入抑制纳米结构与发射极中掺杂物质扩散的反应物，完成反应源的配制；将已经制备好纳米结构的纳米表面硅太阳能电池样品放入高压反应釜中，向高压反应釜中通入已配制好的反应源，密封后加热，高浓度反应源弥散进入纳米表面硅太阳能电池表面纳米结构的缝隙中，热氧化形成的氧化硅钝化层完全覆盖于纳米表面硅表面，纳米结构与发射极完全被氧化硅钝化层包覆。本发明在较低的温度下即可完成氧化硅钝化层的制备，避免了高温对原型器件的破坏；反应源中方便加入掺杂剂，可调节钝化层折射率。
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公开(公告)号：CN103469173B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310414275.5
申请日：2013-09-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托盘温度降到预定生长温度后，在预设压强范围内继续对反应室抽气；向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；当氧化镓膜生长过程结束后，对氧化镓膜进行原位热处理或直接将氧化镓膜缓慢降温取样或取样后再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多问题，提供了一种有效的受主掺杂途径，能制备具有不同空穴浓度的氧化镓膜。
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公开(公告)号：CN103730549A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410006227.7
申请日：2014-01-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，公开了一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法，首先在SiC衬底上制备GaN基紫外LED结构；然后在p-GaN层上制备欧姆反射层及金属键合层；其次将制备好金属键合层的外延片与导电导热基板进行热压键合；再次，将碳化硅衬底减薄，将SiC衬底去除；最后在n-AlGaN层上光刻图形，蒸镀金属电极并制备成紫外LED。本发明采用SiC作为UVLED的衬底，材料生长质量好；采用的导电导热基板能够作为p-GaN电极并提供支撑，从而使紫外LED电流分布更加均匀；采用的衬底剥离工艺可将对紫外光有很强吸收作用的SiC衬底完全剥离，不仅解决了外延工艺中的技术难点也避免了SiC材料对紫外光吸收的负面影响，还使得器件的外量子效率得到大幅提升。
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