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公开(公告)号：CN113336186B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110558110.X
申请日：2021-05-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于加工技术领域，提供了一种同步制造纳米凹坑阵列的跨尺度微纳结构加工方法。将纳米颗粒分散在光刻胶中，通过光刻工艺形成厚度与纳米颗粒直径接近的光刻胶层，以含有纳米颗粒的图形化光刻胶层为掩膜对基底进行刻蚀，胶层中的纳米颗粒可被刻蚀液腐蚀或溶解，并逐渐形成纳米孔穴，刻蚀液透过纳米孔穴对基底进行刻蚀。本发明仅需一次光刻与腐蚀工艺，即可在基底上同时构建具有微米或几百纳米的功能结构以及在功能结构表面具有纳米特征尺寸的凹坑结构。简化了制造工艺流程、降低了加工成本，有利于批量化制造。
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公开(公告)号：CN113336186A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110558110.X
申请日：2021-05-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于加工技术领域，提供了一种同步制造纳米凹坑阵列的跨尺度微纳结构加工方法。将纳米颗粒分散在光刻胶中，通过光刻工艺形成厚度与纳米颗粒直径接近的光刻胶层，以含有纳米颗粒的图形化光刻胶层为掩膜对基底进行刻蚀，胶层中的纳米颗粒可被刻蚀液腐蚀或溶解，并逐渐形成纳米孔穴，刻蚀液透过纳米孔穴对基底进行刻蚀。本发明仅需一次光刻与腐蚀工艺，即可在基底上同时构建具有微米或几百纳米的功能结构以及在功能结构表面具有纳米特征尺寸的凹坑结构。简化了制造工艺流程、降低了加工成本，有利于批量化制造。
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公开(公告)号：CN113336185A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110557143.2
申请日：2021-05-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于加工技术领域，提供了一种集成有纳米凸起阵列的跨尺度微纳结构加工方法。将纳米颗粒分散于光刻胶中，通过光刻工艺形成厚度与纳米颗粒直径接近的光刻胶层，去除功能结构表面光刻胶层中纳米颗粒之间的光刻胶，光刻胶层图形化，在刻蚀或腐蚀基底材料时或在此之后，以纳米颗粒为掩膜，在功能结构表面刻蚀或腐蚀形成纳米凸起结构。本发明无需格外进行复杂的纳米加工工艺、纳米粒子修饰等工艺，仅需一次光刻及刻蚀工艺，即可在基底上同时构建具有微米或几百纳米的功能结构，以及在功能结构表面纳米特征尺寸的凸起结构，加工过程简单，所需设备在一般实验室均可以达成，降低加工跨尺度微纳结构的成本，有利于批量化生产制造。
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