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公开(公告)号：CN117286480A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311224401.0
申请日：2023-09-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种作为电子封装钎焊界面扩散阻挡层的Ni‑Cu‑P非晶合金镀层的化学镀制备工艺，工艺参数：电压0.5‑4V，激活时间1s‑5min。镀液组成：六水合硫酸镍、五水合硫酸铜、二水合柠檬酸三钠、丁二酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、硫脲、醋酸铵、次亚磷酸钠，pH为4‑8。镀层成分按原子百分比为：Ni，55％‑93％；Cu，2％‑20％；P，5％‑25％，厚度为1‑50μm。本发明的化学镀温度低，镀液稳定；工艺简单易操作，得到不同Cu含量非晶Ni‑Cu‑P镀层；镀层表面宏观上展现出镜面光亮效果，微观上平整、致密、无明显气孔；与Sn基钎料进行钎焊，表现出比Ni‑P镀层更好的润湿性与更强的扩散阻挡性能。
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