公开(公告)号：CN114450361B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202080067876.1

申请日：2020-10-16

Applicant: 大金工业株式会社 ,  迈图高新材料公司

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  松井元志 ,  小泽香织 ,  H·舍恩 ,  A·查维斯 ,  M·伍斯科 ,  A·H·麦金斯特里

IPC: G02B1/10 ,  C08G77/24 ,  C08G65/336 ,  C09D171/00 ,  C09D183/08

Abstract: 本发明提供一种包含(1)氟烷基硅烷低聚物混合物和(2)含有全氟烷基的硅烷化合物的表面处理剂。

公开(公告)号：CN114450361A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080067876.1

申请日：2020-10-16

Applicant: 大金工业株式会社 ,  迈图高新材料公司

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  松井元志 ,  小泽香织 ,  H·舍恩 ,  A·查维斯 ,  M·伍斯科 ,  A·H·麦金斯特里

IPC: C09D171/00 ,  C09D183/08 ,  C08G77/24 ,  C08G65/336

Abstract: 本发明提供一种包含(1)氟烷基硅烷低聚物混合物和(2)含有全氟烷基的硅烷化合物的表面处理剂。

公开(公告)号：CN119698451A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380058448.6

申请日：2023-08-10

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 片冈真奈美 ,  内藤真人 ,  久保田大贵 ,  高野真也 ,  松井元志 ,  山口史彦 ,  野村孝史

IPC: C09K3/18 ,  C07F7/18 ,  C08L83/00 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18

Abstract: 本发明提供一种含有(成分A)包含长链烷基结构的硅烷偶联剂和(成分B)包含硅氧烷结构的硅烷偶联剂的组合物。

公开(公告)号：CN117062854A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280023635.6

申请日：2022-03-09

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 池内秀幸 ,  高野真也 ,  野村孝史

IPC: C08G65/336

Abstract: 本发明涉及一种提供一种后述式(A1)或(A2)所示的含有氟代聚醚基的硅烷化合物。各符号如说明书的记载。RF1‑X1‑CRSi2(OR11)···(A1)(R11O)RSi2C‑X1‑RF2‑X1‑CRSi2(OR11)···(A2)。

公开(公告)号：CN111670207B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201980011171.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  内藤真人 ,  渡边裕介 ,  小泽香织 ,  高野真也 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C03C17/32 ,  C08G65/00 ,  H04M1/02

Abstract: 一种电子设备，其至少在部分表面具有式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)或(C2)中的任一式所示的含氟代(聚)醚基的硅烷化合物形成的表面处理层。式中，PFPE在每次出现时分别独立地为式：－(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3XF6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示且至少具有1个支链结构的基团、或者为式：－(R16－R17)j1－所示的基团。各符号的含义与说明书中的记载相同。

公开(公告)号：CN116745382A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280010907.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 茂原健介 ,  野村孝史 ,  前平健

IPC: C09K3/18

Abstract: 本发明提供一种表面处理剂，该表面处理剂含有含氟代聚醚基的硅烷化合物、含氟代聚醚基的化合物和溶剂，相对于上述含氟代聚醚基的硅烷化合物、上述含氟代聚醚基的化合物和上述溶剂的合计量，上述含氟代聚醚基的硅烷化合物的含量为0.02～50.0质量％，上述含氟代聚醚基的化合物的含量为0.1～95.0质量％，上述溶剂的含量为1～99.88质量％，上述含氟代聚醚基的硅烷化合物为式(1)或(2)所示的含氟代聚醚基的硅烷化合物，上述含氟代聚醚基的化合物的沸点为105～210℃。
RF1α‑XA‑RSiβ (1)
RSiγ‑XA‑RF2‑XA‑RSiγ (2)。

公开(公告)号：CN116694202A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310176102.8

申请日：2023-02-28

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 森安礼奈 ,  波北悟 ,  野村孝史

IPC: C09D171/00 ,  C09D7/62 ,  C08J7/046 ,  C08L69/00

Abstract: 本发明提供一种能够通过较少工序数形成具有优异耐磨损性的表面处理层的表面处理剂、以及具有由该表面处理剂形成的表面处理层的物品及其制造方法。本发明的表面处理剂含有在一个分子内具有有机反应性基团及水解性硅烷基的偶联剂、和含氟代聚醚基的硅烷化合物α，上述含氟代聚醚基的硅烷化合物α由以下式(α1)或式(α2)表示。式中，各符号的含义与说明书中相同。

公开(公告)号：CN114651028A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080078302.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高野真也 ,  野村孝史 ,  今野勉 ,  山田重之

IPC: C08G65/329 ,  C07B61/00

Abstract: 一种含有氟代聚醚基的化合物的制造方法，其包括在具有选自Pd、Cu、Ni、Pt和Ag中的至少1种的金属催化剂的存在下，使式(1)所示的含有氟代聚醚基的化合物(A)与式(c1)～(c4)中的任一式所示的化合物(C)发生反应的步骤。式中，各记号如说明书所记载。X11－(R11)n11－RF1－X12···(1)。

公开(公告)号：CN109642085B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201780051124.4

申请日：2017-08-23

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 原田明 ,  山口浩靖 ,  高岛義德 ,  吞村优 ,  荒本光 ,  以仓崚平 ,  中畑雅树 ,  岩曾一恭 ,  平贺健太郎 ,  杉山明平 ,  山口史彦 ,  野村孝史

IPC: C08L101/02 ,  C08F290/12 ,  C08L33/06 ,  C09D133/00 ,  C09D201/04

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种具有优异的伸长性的高分子材料。本发明的第一高分子材料包含含有第一结构单元的第一高分子和含有第二结构单元的第二高分子，所述第一结构单元在侧链上具有客体基，所述第二结构单元在侧链上具有主体基，所述第一高分子及所述第二高分子的至少一方具有1个以上的氟基。本发明的第二高分子材料具有：在侧链上具有客体基的第一结构单元、在侧链上具有主体基的第二结构单元、和除所述第一结构单元及第二结构单元以外的第三结构单元，所述第一结构单元、所述第二结构单元及所述第三结构单元中的至少一个结构单元具有1个以上的氟基。

公开(公告)号：CN113355012A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110556222.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  能势雅聪

IPC: C09D171/00 ,  B32B17/10 ,  C03C17/30 ,  C08G65/22 ,  C08G65/336 ,  C08G77/46 ,  C08L71/00 ,  C08L83/04 ,  C09D5/16 ,  C09D183/12 ,  G02B1/04 ,  G02B1/18

Abstract: 本发明提供一种含有下述通式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)和(D2)：[式中，各符号与说明书的记载意义相同]中任意通式所示的至少1种含有全氟(聚)醚基的硅烷化合物、以及下述式(E1)：[式中，各符号与说明书的记载意义相同]所示的至少1种化合物的组合物。(Rf1‑PFPE1)β’‑X5‑(SiR1n1R23‑n1)β…(B1)(R23‑n1R1n1Si)β‑X5‑PFPE1‑X5‑(SiR1n1R23‑n1)β…(B2)(Rf1‑PFPE1)γ’‑X7‑(SiRak1Rb11Rcm1)γ…(C1)(Rcm1Rb11Rak1Si)γ‑X7‑PFPE1‑X7‑(SiRak1Rb11Rcm1)γ…(C2)(Rf1‑PFPE1)δ’‑X9‑(CRdk2Re12Rfm2)δ…(D1)(Rfm2Re12Rdk2C)δ‑X9PFPE1‑X‑(CRdk2Re12Rfm2)δ…(D2)(Rf2‑PFPE2‑Z2)x‑A…(E1)。