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公开(公告)号:CN108270464B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201711483331.5
申请日:2017-12-29
Applicant: 天工方案公司
IPC: H04B1/40
Abstract: 公开了前端系统以及相关装置、集成电路、模块和方法。一种这样的前端系统包括接收路径中的低噪声放大器和发射路径中的多模式功率放大器电路。低噪声放大器包括第一电感器、放大电路以及第二电感器,所述第二电感器与第一电感器磁耦合以提供负反馈以线性化低噪声放大器。多模式功率放大器电路包括堆叠输出级,所述堆叠输出级包括两个或更多个晶体管的晶体管堆叠。多模式功率放大器电路也包括偏压电路,所述偏压电路配置成基于多模式功率放大器电路的模式控制晶体管堆叠的至少一个晶体管的偏压。公开了前端系统的其他实施例,以及相关装置、集成电路、模块、方法及其部件。
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公开(公告)号:CN105490698A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510458593.0
申请日:2015-07-30
Applicant: 天工方案公司
Inventor: L.P.沃利斯
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H04B1/109 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21109 , H03F2203/21112 , H04B1/1027 , H04B1/1036 , H04B1/18 , H04B15/005 , H04B2001/1054 , H04W52/52
Abstract: 表面声波(SAW)滤波器,其接收聚合电路并且在输出上输出两个或多个子信号,每个具有不同的频带。子信号由低噪放大器放大并且,在一个实现方式中,所述放大的子信号可以被合并。经由切换的无源网络连接所述输出使得在不在选择的频带中的所述输出上的部分子信号被至少部分地终止。
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公开(公告)号:CN105490698B
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201510458593.0
申请日:2015-07-30
Applicant: 天工方案公司
Inventor: L.P.沃利斯
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H04B1/109 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21109 , H03F2203/21112 , H04B1/1027 , H04B1/1036 , H04B1/18 , H04B15/005 , H04B2001/1054 , H04W52/52
Abstract: 表面声波(SAW)滤波器,其接收聚合电路并且在输出上输出两个或多个子信号,每个具有不同的频带。子信号由低噪放大器放大并且,在一个实现方式中,所述放大的子信号可以被合并。经由切换的无源网络连接所述输出使得在不在选择的频带中的所述输出上的部分子信号被至少部分地终止。
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公开(公告)号:CN108270464A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201711483331.5
申请日:2017-12-29
Applicant: 天工方案公司
IPC: H04B1/40
Abstract: 公开了前端系统以及相关装置、集成电路、模块和方法。一种这样的前端系统包括接收路径中的低噪声放大器和发射路径中的多模式功率放大器电路。低噪声放大器包括第一电感器、放大电路以及第二电感器,所述第二电感器与第一电感器磁耦合以提供负反馈以线性化低噪声放大器。多模式功率放大器电路包括堆叠输出级,所述堆叠输出级包括两个或更多个晶体管的晶体管堆叠。多模式功率放大器电路也包括偏压电路,所述偏压电路配置成基于多模式功率放大器电路的模式控制晶体管堆叠的至少一个晶体管的偏压。公开了前端系统的其他实施例,以及相关装置、集成电路、模块、方法及其部件。
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