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公开(公告)号:CN107425078A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710776726.8
申请日:2017-08-31
Applicant: 天津大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/45 , H01L23/532 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L23/53242 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/4958 , H01L29/66484 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/78645 , H01L29/78651
Abstract: 一种基于硅纳米膜的柔性金属型双底栅晶体管及制造方法,晶体管包括在柔性介电层的上表面设置由硅纳米薄膜构成的第一至第三N型掺杂区和第一至第二未掺杂区,第一N型掺杂区电连接设置在柔性介电层上的第一源极,第三N型掺杂区电连接柔性介电层上的第二源极,第二N型掺杂区电连接设置在柔性介电层上的漏极,柔性介电层上的栅极通过互连线分别贯穿柔性介电层连接柔性导电层。方法是利用磁控溅射低温技术在镀有ITO的柔性塑料衬底上形成均匀的氧化锌介质层,再利用光刻、湿法刻蚀和薄膜转移技术将硅纳米薄膜转移到氧化锌介质层上,再通过光刻对准工艺在硅纳米薄膜上层的特定位置淀积金属形成电极和互连线。本发明制作简便,透光性好,驱动性能优良。
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公开(公告)号:CN106452408A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201611047627.8
申请日:2016-11-23
Applicant: 天津大学
IPC: H03K17/74
CPC classification number: H03K17/74
Abstract: 一种柔性薄膜射频开关,包括衬底,所述的衬底为柔性衬底,所述衬底上设置有SU8粘合层,所述SU8粘合层的上面分别设置有:第一PIN二极管、第二PIN二极管、输入端、输出端和接地端,其中,所述第一PIN二极管的一端通过金属互联线连接所述的输入端,所述第一PIN二极管的另一端通过金属互联线分别连接输出端和第二PIN二极管的一端,所述第二PIN二极管的另一端通过金属互联线连接接地端。本发明是结合薄膜转移工艺,利用柔性PIN二极管开发出的可应用于柔性射频领域的开关。本发明制作工艺与柔性薄膜晶体管、PIN二极管等完全兼容。其可应用于许多无线便携设备,如手机和雷达系统。通过结合使用单晶硅薄膜转移工艺实现低寄生电阻、高射频特性的开关。
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公开(公告)号:CN107728190B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201710927004.8
申请日:2017-09-30
Applicant: 天津大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器,包括依次串联连接的:三八译码器、起连接作用的第一排插、可拆卸辐射强度探测阵列、起连接作用的第二排插、滤波器阵列和A/D转换电路阵列和FPGA芯片,FPGA芯片的信号输入端还连接矩阵键盘,FPGA芯片的输出端连接液晶显示器以及连接三八译码器的输入端。可拆卸辐射强度探测阵列是由若干个结构相同的检测单元构成,每一个检测单元的输入端通过第一排插连接三八译码器的输出端,每一个检测单元的输出端通过第二排插连接滤波器阵列的输入端。本发明可以实现对质子辐射、电离辐射和中子辐射辐射强度的快速高效检测。可应用于航空航天,核电站等对辐射敏感的工作区域,也可以应用于日常生产生活中。
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公开(公告)号:CN106449764B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201611059419.X
申请日:2016-11-23
Applicant: 天津大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种柔性薄膜底栅双沟道晶体管,包括衬底,所述的衬底为柔性衬底,所述衬底上依次设置有ITO导电层和SiO氧化层,所述SiO氧化层上设置有单晶硅薄膜、第一源极、第二源极、漏极和栅极,其中,所述单晶硅薄膜通过金属互联线分别连接第一源极、第二源极和漏极,所述栅极通过金属互联线连接导电柱的一端,所述导电柱的另一端依次插入所述的SiO氧化层和ITO导电层至衬底上,从而使所述的栅极通过金属互联线和导电柱连接ITO导电层。本发明可应用于柔性射频领域的,即应用于有源天线,远程射频识别,生物医学遥感,可折叠相控阵列天线等许多领域,制作工艺与柔性电容、电感、PIN二极管等完全兼容。能够通过结合使用单晶硅薄膜转移工艺实现高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号:CN107733524A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710927083.2
申请日:2017-09-30
Applicant: 天津大学
IPC: H04B10/079
CPC classification number: H04B10/0791 , H04B10/07955
Abstract: 一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器,包括行选择逻辑单元,以及通过数据总线依次串联连接的模拟信号处理单元阵列、AD转换单元阵列和处理主机,还设置有柔性PIN光电二极管采集阵列,所述柔性PIN光电二极管采集阵列的输入端通过数据总线连接所述选择逻辑单元的输出端,所述柔性PIN光电二极管采集阵列的输出端通过数据总线连接所述模拟信号处理单元阵列的输入端,所述处理主机的控制输出端通过控制总线连接所述行选择逻辑单元的控制输入端。本发明可以进行高速高精度的光纤线路漏光故障检测,可以直接覆盖在光纤周围,实现整条光纤线路或者重点光纤段的实时故障检测。可以大大提高检测精度、响应速度,并降低光纤故障检测器的成本。
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公开(公告)号:CN107765289B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN201711080295.8
申请日:2017-11-06
Applicant: 天津大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及的检测器适用于对空间中辐射源辐射强度的检测,为实现对质子辐射,电离辐射和中子辐射辐射强度的快速高效检测。本发明,基于柔性PIN二极管的辐照强度检测器,可拆卸的辐照探测阵列,包括探测阵列控制单元、可拆卸的辐射强度探测阵列、前端预处理电路、A/D转换电路、处理器;可拆卸的辐射强度探测阵列由众多辐射强度探测单元有序排列而成,其中辐射强度探测单元由2个起探测作用的柔性PIN二极管,一个起开关作用的TFT器件以及传输数据的金属互连线构成;探测阵列输出信号到前端预处理电路,之后通过A/D转换电路传输到探测阵列控制单元实现对辐照强度的判定。本发明主要应用于辐射强度检测。
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公开(公告)号:CN107714003A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710927085.1
申请日:2017-09-30
Applicant: 天津大学
IPC: A61B5/02 , A61B5/024 , A61B5/1455 , H01L31/105
CPC classification number: A61B5/02007 , A61B5/024 , A61B5/14551 , A61B5/6826 , A61B5/7225 , H01L31/105
Abstract: 一种基于柔性PIN光电二极管的指端脉搏波检测器,包括有控制单元,以及通过数据总线依次串联连接的滤波电路、放大电路、A/D转换模块和处理主机,还设置有用于套戴于手指上采集脉搏波信号的脉搏波检测指套,所述脉搏波检测指套的输入端通过控制总线连接所述控制单元的输出端,所述脉搏波检测指套的输出端通过数据总线连接所述滤波电路的输入端,所述处理主机的输出端通过控制总线连接所述控制单元的输入端。本发明具有面积小、结构简单轻便、价格低等特点,可以直接贴合在手指周围,大大提高检测精度、响应速度,并降低脉搏波检测器的成本,同时减少对于检测对象手指正常活动的影响。
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公开(公告)号:CN107611172A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710837802.1
申请日:2017-09-16
Applicant: 天津大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/683 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种异质介质层柔性底栅晶体管及制备方法,包括依次设置有柔性PET衬底、栅极ITO导电薄膜、BSM异质介质层和硅纳米薄膜层,硅纳米薄膜层的上端面设置有:源极金属、左侧漏极金属以及右侧漏极金属,硅纳米薄膜层和BSM异质介质层内上下贯通的形成有直通到栅极ITO导电薄膜上端面的栅极连接孔,硅纳米薄膜层内嵌入有左侧漏极掺杂区、源极掺杂区和右侧漏极掺杂区。方法是在涂有ITO导电层的PEN衬底上采用磁控溅射的方法涂上一层BSM异质介质栅层作为栅氧,接下来通过设计制备好的掩膜版层层光刻在SOI上转移下来的硅纳米膜上制备栅极与金属电极,本发明能够实现在较高频率工作的高性能柔性异质介质层上的晶体管制备,在大规模柔性集成电路中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN106158836A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201610751893.2
申请日:2016-08-27
Applicant: 天津大学
IPC: H01L23/64 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L28/40 , H01L28/60
Abstract: 一种柔性射频应变可调无源带通滤波器及其制造方法,包括柔性衬底、电容和电感,介质层以及用于测试的输入端和输出端。将滤波器制造在柔性衬底上,滤波器的主体由一组电容和电感构成,电容采用金属‑绝缘层‑金属结构,电感采用螺旋结构,电容和电感通过金属线互联并与地线连接,用于测试的输入输出端也用此层金属线连接。建立在柔性衬底上的射频电容和电感连接成带通滤波器,利用柔性电容和电感在弯曲应变下电容值和电感值的变化,使无源滤波器的截止频率和S参数发生变化,从而形成通过机械应变而可调的无源带通滤波器。本发明结构简单,灵敏度高,并且有很少的寄生效应。应用本发明易于实现可弯曲、应变可调,带通滤波的特性。
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公开(公告)号:CN105783696A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610265838.2
申请日:2016-04-25
Applicant: 天津大学
IPC: G01B7/16
CPC classification number: G01B7/22
Abstract: 一种基于柔性电容的应变传感器及其制造和测试方法,包括衬底,衬底上由下至上依次设置有底层金属极板、SiO介质层和上层金属极板,衬底上还设置有将底层金属极板、SiO介质层和上层金属极板全部覆盖在内的SU_8隔离屏蔽层,SU_8隔离屏蔽层的上端面分别设置有底层金属极板引出端头和上层金属极板引出端头,SU_8隔离屏蔽层内设置有用于底层金属极板与底层金属极板引出端头相连接的底层金属通孔,及用于上层金属极板与上层金属极板引出端头相连接的上层金属通孔。本发明可有效测量器件表面微小的应变变化,灵敏度高。大大提高了传感器的测量范围。具有成膜质量高、附着性好、厚度薄、内应力小等优点,能有效解决电容应变传感器与基底的附着性问题。
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