公开(公告)号：CN107330250A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710434015.2

申请日：2017-06-09

Applicant: 天津大学

Inventor： 李冲 ,  孙佳悦 ,  刘永长 ,  贺靖淳 ,  余黎明 ,  李会军

IPC: G06F19/00

Abstract: 本发明公开了一种铝合金中Mg2Si相在形核衬底上原子堆垛的表征方法，该方法包括以下步骤：建立形核衬底三维超晶胞模型；根据错配度理论计算出错配度较小的衬底与新生相结合的界面，构建对应的衬底晶面与新生相间所有可能存在的吸附模型；根据公式计算不同吸附模型下的吸附能，对新生相原子在形核衬底上的原子堆垛进行表征。本发明从原子角度探究形核衬底与新生相原子之间的相互作用，揭示新生相在生长初期的原子堆垛方式。

公开(公告)号：CN107330250B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710434015.2

申请日：2017-06-09

Applicant: 天津大学

Inventor： 李冲 ,  孙佳悦 ,  刘永长 ,  贺靖淳 ,  余黎明 ,  李会军

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/20

Abstract: 本发明公开了一种铝合金中Mg2Si相在形核衬底上原子堆垛的表征方法，该方法包括以下步骤：建立形核衬底三维超晶胞模型；根据错配度理论计算出错配度较小的衬底与新生相结合的界面，构建对应的衬底晶面与新生相间所有可能存在的吸附模型；根据公式计算不同吸附模型下的吸附能，对新生相原子在形核衬底上的原子堆垛进行表征。本发明从原子角度探究形核衬底与新生相原子之间的相互作用，揭示新生相在生长初期的原子堆垛方式。