在金属片衬底上生长的GaN纳米线光催化材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107185578A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710413793.3

    申请日:2017-06-05

    Applicant: 天津大学

    CPC classification number: B01J35/004 B01J27/24 B01J37/00 B01J37/035 B01J37/084

    Abstract: 本发明涉及在金属片衬底上生长的GaN纳米线光催化材料及制备方法和应用,将Ga2O3与活性炭放入研钵中进行研磨,混合后的样品置于小方舟内,再将金属片盖在方舟上,位于样品的上方;密封水平管式炉。启动真空泵,炉内真空度抽至0.1MPa时,关闭真空泵,通入Ar气至炉内压力变为常压;加热至生长温度,生长温度:900℃~1000℃,升温阶段通入Ar气;保温,Ar气的流量与升温阶段保持相同;关闭Ar气,通入NH3氨化。最后关闭NH3,打开Ar气并冷却至室温。本发明工艺简便、易控制;在金属片衬底上沉积的一层GaN材料分布均匀、结晶性高。所得的GaN纳米线光催化材料在全光下有长时间稳定的光催化CO2还原能力。

    碱金属过氧化物用于气相二氧化碳光还原的方法

    公开(公告)号:CN105752981B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610098555.3

    申请日:2016-02-23

    Applicant: 天津大学

    Abstract: 本发明公开了一种碱金属过氧化物用于气相二氧化碳光还原的方法,是使用强氧化性碱金属过氧化物X2O2(X=Li,Na,K,Rb,Cs)在紫外光照射和水的参与条件下进行气相二氧化碳的还原转化,从而将CO2还原为CO,通过调节还原反应中的用水量控制二氧化碳还原为一氧化碳反应的持续时间,以使还原产物一氧化碳呈长时间线性增长,当水与过氧化物摩尔比为1:1时可以获得最佳活性,并且在此条件下可以长时间保持还原反应持续稳定进行。本发明的优势在于所用光还原材料简单易得,反应体系简单,仅需通过控制反应条件即可以实现还原反应的持续进行,具有可应用于工业生产的潜力,前景广阔。

    PbSxSe1-x量子点/碳纳米管复合材料及制备

    公开(公告)号:CN103614137A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201310592204.4

    申请日:2013-11-22

    Applicant: 天津大学

    Abstract: 本发明公开了一种PbSxSe1-x量子点/碳纳米管复合材料及制备。该复合材料以碳纳米管为支架,表面包覆PbSxSe1-x量子点,式中x为0~1。其制备方法过程包括:以PbO、油酸及十八烯制得Pb的前驱体;由S、Se和三辛基膦制得S和Se前驱体;将S和Se前驱体与Pb的前驱体混合反应得到PbSxSe1-x量子点;再将PbSxSe1-x量子点和碳纳米管通过机械混合得到PbSxSe1-x量子点/碳纳米管复合材料。本发明优点:其制备方法,过程简单,且易于操作。所制得的复合材料负载的PbSxSe1-x量子点尺寸大小及负载量可控且量子点分布均匀。

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