声波器件、晶圆和制造晶圆的方法

    公开(公告)号:CN116366017A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211683909.2

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本申请涉及声波器件、晶圆和制造晶圆的方法。一种声波器件包括:支撑基板;压电层,其设置在支撑基板上;至少一对梳状电极,其设置在压电层上,梳状电极中的每一个包括多个电极指;以及绝缘层,其设置在支撑基板和压电层之间,绝缘层在其至少一部分中具有多个空隙区域,当从支撑基板的厚度方向观察时多个空隙区域的延伸方向彼此不同,并且当从支撑基板的厚度方向观察时,每个空隙区域在对应的延伸方向上的宽度比在与对应的延伸方向正交的方向上的宽度长。

    声波器件、滤波器及复用器

    公开(公告)号:CN111740719B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202010211745.8

    申请日:2020-03-24

    Abstract: 声波器件、滤波器及复用器。一种声波器件包括:压电基板;一对梳状电极,其位于压电基板上,梳状电极中的每一个包括多个电极指;支撑基板,其具有在平面图中与一对梳状电极交叠的区域中的凸部和/或凹部,凸部和/或凹部被规则地布置;以及绝缘层,其直接或间接地接合在压电基板与支撑基板之间,绝缘层与支撑基板之间的边界面沿着凸部和/或凹部设置。

    声波谐振器、声波器件、滤波器以及复用器

    公开(公告)号:CN110504941B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN201910393367.7

    申请日:2019-05-13

    Abstract: 声波谐振器、声波器件、滤波器以及复用器。一种声波谐振器包括:压电基板;一对梳状电极,该一对梳状电极设置于压电基板上,并且激发声波,该一对梳状电极中的各梳状电极包括多个电极指;以及多晶基板,该多晶基板位于压电基板的与设置了该一对梳状电极的表面相反的一侧,多晶基板的平均粒径为多个电极指的平均节距的66倍以下。

    声波器件、滤波器及复用器

    公开(公告)号:CN111740719A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010211745.8

    申请日:2020-03-24

    Abstract: 声波器件、滤波器及复用器。一种声波器件包括:压电基板;一对梳状电极,其位于压电基板上,梳状电极中的每一个包括多个电极指;支撑基板,其具有在平面图中与一对梳状电极交叠的区域中的凸部和/或凹部,凸部和/或凹部被规则地布置;以及绝缘层,其直接或间接地接合在压电基板与支撑基板之间,绝缘层与支撑基板之间的边界面沿着凸部和/或凹部设置。

    声波谐振器、声波器件、滤波器以及复用器

    公开(公告)号:CN110504941A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910393367.7

    申请日:2019-05-13

    Abstract: 声波谐振器、声波器件、滤波器以及复用器。一种声波谐振器包括:压电基板;一对梳状电极,该一对梳状电极设置于压电基板上,并且激发声波,该一对梳状电极中的各梳状电极包括多个电极指;以及多晶基板,该多晶基板位于压电基板的与设置了该一对梳状电极的表面相反的一侧,多晶基板的平均粒径为多个电极指的平均节距的66倍以下。

    声波装置、滤波器及多路复用器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114070257A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110856762.1

    申请日:2021-07-28

    Abstract: 声波装置、滤波器及多路复用器。一种声波装置,该声波装置包括:支撑基板;压电层,所述压电层设置在支撑基板上方;梳状电极,所述梳状电极设置在压电层上,每个梳状电极包括激发声波的电极指;温度补偿膜,所述温度补偿膜插置于支撑基板和压电层之间并且弹性常数的温度系数与压电层的弹性常数的温度系数符号相反;边界层,所述边界层插置于支撑基板和温度补偿膜之间,经由边界层传播的体波的声速高于经由温度补偿膜传播的体波的声速并低于经由支撑基板传播的体波的声速;以及中间层,所述中间层插置于支撑基板和边界层之间并且具有比边界层的Q因子小的Q因子。

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