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公开(公告)号：CN106253876B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610391499.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 梯型滤波器、双工器以及模块。一种梯型滤波器包括：一个或更多个串联谐振器，其串联连接在输入端子和输出端子之间；两个或更多个并联谐振器，其并联连接在输入端子和输出端子之间；以及将所述两个或更多个并联谐振器的接地端子彼此电连接的路径，该路径仅通过最靠近输入端子或最靠近输出端子而定位的并联谐振器的接地端子与地电连接，并且该路径在所述两个或更多个并联谐振器的接地端子之间的位置、以及最靠近输入端子或最靠近输出端子而定位的并联谐振器的接地端子和地之间的位置中的至少两个位置处包括至少两个串联连接的电感器。
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公开(公告)号：CN104980122A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510165868.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/02574 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H9/706 , H04B1/50 , H04J1/12 , H04L5/14
Abstract: 一种复用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
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公开(公告)号：CN108696266A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810295377.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H03H9/14582 , H03H9/56 , H03H9/6483 , H04J1/045 , H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/145 , H03H9/64
Abstract: 声波谐振器、滤波器和复用器。声波谐振器包括：压电基板；以及叉指换能器(IDT)，其设置在压电基板上，该IDT包括一对梳形电极，所述梳形电极具有多个电极指以及所述多个电极指联接至的汇流条，该IDT具有：第一区域，在所述第一区域中，电极指的间距大致恒定；第二区域，在所述第二区域中，随着靠近外侧而电极指的间距减小；以及第三区域，在所述第三区域中，随着靠近外侧而电极指的间距增大，其中，第二区域在所述多个电极指的排列方向上设置在第一区域的外侧，并且第三区域在排列方向上设置在第二区域的外侧。
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公开(公告)号：CN101924532B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201010200112.3
申请日：2010-06-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
Inventor： 高桥直树
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/0071 , H03H9/0085 , H03H9/6436
Abstract: 本发明公开了一种表面声波器件，其包括：第一滤波器和第二滤波器，它们都是包括至少为三的奇数个叉指换能器(IDT)的表面声波(SAW)滤波器；向其输入不平衡信号的不平衡端子；从其输出相位与所述不平衡信号相同的信号的第一平衡端子；以及从其输出相位与所述不平衡信号相反的信号的第二平衡端子。第一中央IDT的电极之一和第二中央IDT的电极之一共同连接到所述不平衡端子，所述第一中央IDT和所述第二中央IDT是所述奇数个IDT之一且分别位于所述第一滤波器和所述第二滤波器的中央。所述第一中央IDT的电极指数量是奇数；而所述第二中央IDT的电极指数量是偶数。
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公开(公告)号：CN114070257A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110856762.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 声波装置、滤波器及多路复用器。一种声波装置，该声波装置包括：支撑基板；压电层，所述压电层设置在支撑基板上方；梳状电极，所述梳状电极设置在压电层上，每个梳状电极包括激发声波的电极指；温度补偿膜，所述温度补偿膜插置于支撑基板和压电层之间并且弹性常数的温度系数与压电层的弹性常数的温度系数符号相反；边界层，所述边界层插置于支撑基板和温度补偿膜之间，经由边界层传播的体波的声速高于经由温度补偿膜传播的体波的声速并低于经由支撑基板传播的体波的声速；以及中间层，所述中间层插置于支撑基板和边界层之间并且具有比边界层的Q因子小的Q因子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106253876A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610391499.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , H03H9/542 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H9/725 , H03H9/545
Abstract: 梯型滤波器、双工器以及模块。一种梯型滤波器包括：一个或更多个串联谐振器，其串联连接在输入端子和输出端子之间；两个或更多个并联谐振器，其并联连接在输入端子和输出端子之间；以及将所述两个或更多个并联谐振器的接地端子彼此电连接的路径，该路径仅通过最靠近输入端子或最靠近输出端子而定位的并联谐振器的接地端子与地电连接，并且该路径在所述两个或更多个并联谐振器的接地端子之间的位置、以及最靠近输入端子或最靠近输出端子而定位的并联谐振器的接地端子和地之间的位置中的至少两个位置处包括至少两个串联连接的电感器。
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公开(公告)号：CN108696266B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201810295377.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 声波谐振器、滤波器和复用器。声波谐振器包括：压电基板；以及叉指换能器(IDT)，其设置在压电基板上，该IDT包括一对梳形电极，所述梳形电极具有多个电极指以及所述多个电极指联接至的汇流条，该IDT具有：第一区域，在所述第一区域中，电极指的间距大致恒定；第二区域，在所述第二区域中，随着靠近外侧而电极指的间距减小；以及第三区域，在所述第三区域中，随着靠近外侧而电极指的间距增大，其中，第二区域在所述多个电极指的排列方向上设置在第一区域的外侧，并且第三区域在排列方向上设置在第二区域的外侧。
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公开(公告)号：CN107547060B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710499132.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 制造声波装置的方法和声波装置。一种声波装置制造方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层；在压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度，并且覆盖梳状电极和布线层，并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在布线层上方具有开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜，该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率，使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。
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公开(公告)号：CN104980122B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510165868.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 一种复用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
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公开(公告)号：CN107547060A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710499132.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 制造声波装置的方法和声波装置。一种声波装置制造方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层；在压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度，并且覆盖梳状电极和布线层，并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在布线层上方具有开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜，该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率，使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。
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