一种检测煤矿气体的红外气体传感器及其使用方法

    公开(公告)号:CN117451654B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202311220607.6

    申请日:2023-09-21

    Abstract: 本发明提供了一种检测煤矿气体的红外气体传感器及其使用方法,包括:安装组件和外壳;安装组件上设有光源和探测器;且光源与探测器均与微处理器电信号连接;探测器上开设有四个通道,四个通道内分别设置有测量水蒸气吸收光谱滤光片、测量甲烷吸收光谱滤光片、测量二氧化硫吸收光谱滤光片和参比吸收光谱滤光片;外壳的扣合于安装组件上,外壳的上端开设有安装孔,安装孔内设置滤网。本发明通过设置四个滤光片可以同时完成三种气体的检测,排除了水蒸气较强吸收性和气体吸收谱有交叠的问题,且有参考光路,更适合在煤矿等具有多种气体的环境中工作,使得测量的准确性更高;且将其放置于外壳中,体积更小,造价更便宜。

    一种多台阶微流道结构的工艺制备方法

    公开(公告)号:CN117800280A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311644645.4

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明提供了一种多台阶微流道结构的工艺制备方法,包括:步骤S1,制备氧化硅掩膜层;步骤S2,制备两处第一开窗;步骤S3,腐蚀两个第一开窗下方的氧化硅掩膜层,并于光刻胶层上制备第二开窗;步骤S4,腐蚀两个第一开窗和第二开窗下方的氧化硅掩膜层,并于光刻胶层上制备第三开窗;步骤S5,腐蚀第一、第二、第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到流道结构;步骤S6,腐蚀第二、第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到深槽阶梯结构;步骤S7,腐蚀第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到浅槽阶梯结构;步骤S8,去除氧化硅掩膜层并于单晶硅上表面键合衬底进行晶圆级封装。有益效果是本发明可实现多种深度槽结构的制备。

    一种检测煤矿气体的红外气体传感器及其使用方法

    公开(公告)号:CN117451654A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311220607.6

    申请日:2023-09-21

    Abstract: 本发明提供了一种检测煤矿气体的红外气体传感器及其使用方法,包括:安装组件和外壳;安装组件上设有光源和探测器;且光源与探测器均与微处理器电信号连接;探测器上开设有四个通道,四个通道内分别设置有测量水蒸气吸收光谱滤光片、测量甲烷吸收光谱滤光片、测量二氧化硫吸收光谱滤光片和参比吸收光谱滤光片;外壳的扣合于安装组件上,外壳的上端开设有安装孔,安装孔内设置滤网。本发明通过设置四个滤光片可以同时完成三种气体的检测,排除了水蒸气较强吸收性和气体吸收谱有交叠的问题,且有参考光路,更适合在煤矿等具有多种气体的环境中工作,使得测量的准确性更高;且将其放置于外壳中,体积更小,造价更便宜。

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