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公开(公告)号：CN119907390A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510054596.1
申请日：2025-01-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种基于MoS2的双极性离子门控晶体管及其制备方法，属于半导体设计领域；晶体管包括导电衬底、设置在导电衬底上的绝缘介质层、设置在绝缘介质层上的栅电极、源电极和漏电极、设置在源电极和漏电极上的二维材料层、以及设置在二维材料层、源电极、漏电极以及栅电极上的离子液体；其中，二维材料层材料采用MoS2。采用二硫化钼作为半导体通道层，采用离子液体作为电介质层，离子液体上层通常起到顶栅的作用，在低外加电压下可以方便地形成纳米级厚度的双电层，可以表现出极大的栅极电容，因此可以显着降低工作栅极电压。
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