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公开(公告)号：CN119992277A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411816714.X
申请日：2024-12-11
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种基于RBF‑QGAN的图像处理方法及系统，属于量子生成模型领域；方法包括：获取图像数据，并进行预处理，得到离散样本数据；构建包括鉴别器和生成器的RBF‑QGAN，鉴别器采用径向基网络，生成器采用变分量子电路；生成器接收离散样本，学习输入生成概率分布，并利用量子电路生成输出概率分布；鉴别器接收生成器输出的数据，并判断真实性；将生成器学习生成出的生成概率分布和离散样本数据都输入鉴别器中，通过径向基网络对样本进行特征提取，判断数据样本的真实性；通过交叉熵损失函数进行训练并通过Adam优化器进行参数优化，再传入生成器和鉴别器中训练，直至训练损失收敛到纳什平衡；优化训练结束后，输出生成器生成的图像数据样本。
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公开(公告)号：CN119907390A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510054596.1
申请日：2025-01-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种基于MoS2的双极性离子门控晶体管及其制备方法，属于半导体设计领域；晶体管包括导电衬底、设置在导电衬底上的绝缘介质层、设置在绝缘介质层上的栅电极、源电极和漏电极、设置在源电极和漏电极上的二维材料层、以及设置在二维材料层、源电极、漏电极以及栅电极上的离子液体；其中，二维材料层材料采用MoS2。采用二硫化钼作为半导体通道层，采用离子液体作为电介质层，离子液体上层通常起到顶栅的作用，在低外加电压下可以方便地形成纳米级厚度的双电层，可以表现出极大的栅极电容，因此可以显着降低工作栅极电压。
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公开(公告)号：CN119922956A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510013358.6
申请日：2025-01-06
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域；基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管包括：导电衬底，导电衬底上端设置有绝缘介质层，绝缘介质层上端设置有源电极，源电极上端设置有第一个二维材料层，第一个二维材料层上设置有第二个二维材料层，作为漏电极；所述第一个二维材料层采用MoS2，源电极材质为铂，第二个二维材料层采用石墨烯，MoS2与铂接触形成高肖特基势垒，有助于提高整流能力；并且将MoS2与石墨烯结合，可以形成具有更高载流子迁移率的异质结，这对提高场效应晶体管(FETs)的开关速度和降低功耗至关重要。
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公开(公告)号：CN119546173A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411490292.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法，属于电子器件制造技术领域；一种原位真空制备系统包括手套箱，手套箱的一侧连接有真空集联管道，真空集联管道中分别能进行：绝缘材料热蒸发、金属材料热蒸发、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电子束蒸发以及磁控溅射；所述绝缘材料蒸发和电子束蒸发均采用：电子束蒸发设备；所述金属材料热蒸发和磁控溅射均采用：磁控溅射设备；反应离子刻蚀采用：反应离子刻蚀设备；离子束刻蚀采用：离子束刻蚀设备忆阻器制备过程中的材料沉积和电极制作均在原位真空制备系统中进行，避免了材料污染和界面缺陷，显著提高忆阻器的性能，并简化了制备工艺。
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