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发明公开
一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119546173A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411490292.1

申请日：2024-10-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 徐祖雨 , 章敏 , 潘志勇 , 曹寿伟 , 朱云来 , 吴祖恒 , 代月花

IPC: H10N70/00 , H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法，属于电子器件制造技术领域；一种原位真空制备系统包括手套箱，手套箱的一侧连接有真空集联管道，真空集联管道中分别能进行：绝缘材料热蒸发、金属材料热蒸发、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电子束蒸发以及磁控溅射；所述绝缘材料蒸发和电子束蒸发均采用：电子束蒸发设备；所述金属材料热蒸发和磁控溅射均采用：磁控溅射设备；反应离子刻蚀采用：反应离子刻蚀设备；离子束刻蚀采用：离子束刻蚀设备忆阻器制备过程中的材料沉积和电极制作均在原位真空制备系统中进行，避免了材料污染和界面缺陷，显著提高忆阻器的性能，并简化了制备工艺。

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