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公开(公告)号：CN115863276A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211651146.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法，包括：衬底，自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层；过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底，实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热，进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。
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